Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
The dependence has been measured for the spontaneous radiation τ average life from the excitation level (non-equilibrium charge ΔN carriers concentration) on particularly clear optically homogeneous monocrystals. Results of the experiment confirm earlier theoretically predicted so-called Mott excito...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автор: | Garkavenko, A. S. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.21 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2010) -
Феноменологическая теория релаксации в двухподрешеточном феррите
за авторством: Bar’yakhtar, V. G., та інші
Опубліковано: (2018) -
Пассивные ограничители иммитанса
за авторством: Filinyuk, N. A., та інші
Опубліковано: (2015) -
Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
за авторством: Zhavzharov, E. L., та інші
Опубліковано: (2015) -
Модификация люминесцентных характеристик молекулы, взаимодействующей с экситонными состояниями J-агрегата
за авторством: Ропакова, И.Ю., та інші
Опубліковано: (2017)