Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна

• Дата: 2010
• Автори: Vakiv, M. M., Krukovskiy, S. I., Zayachuk, D. M., Mykhashchuk, Iu. S., Krukovskiy, R. S.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
• Теми: эпитаксиальный слой; жидкофазная эпитаксия; редкоземельный элемент; изовалентный элемент; ле­ги­ро­вание
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.50
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquid-phase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The...