Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка

The construction and technology of Shottky photodiode on the basis of ZnSe, sensible in the ultraviolet region of spectrum are considered. Researches of electrophysical and photo-electric descriptions of photodiodes of Shottky Nі–ZnSe(Te,O)–Іn are conducted, and it is shown, that they can be applied...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Perevertailo, V. L., Dobrovol’skiy, Yu. G., Popov, V. M., Pokanevich, A. P., Matskevich, V. M., Rizhikov, V. D., Shabashkevich, B. G., Yur’yev, V. G.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Теми:
фотодиод Шоттки
УФ-излучение
радиометрия
дозиметрия
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.17
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-589
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5892025-11-25T17:12:22Z The photodiode of UV-range on the basis of ZnSe Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка Perevertailo, V. L. Dobrovol’skiy, Yu. G. Popov, V. M. Pokanevich, A. P. Matskevich, V. M. Rizhikov, V. D. Shabashkevich, B. G. Yur’yev, V. G. Schottky photodiode UV radiation radiometry dosimetry фотодиод Шоттки УФ-излучение радиометрия дозиметрия The construction and technology of Shottky photodiode on the basis of ZnSe, sensible in the ultraviolet region of spectrum are considered. Researches of electrophysical and photo-electric descriptions of photodiodes of Shottky Nі–ZnSe(Te,O)–Іn are conducted, and it is shown, that they can be applied in devices for radiometry and dissymmetry UV radiations in the ranges UVA, UVB and UVC. Comparison of parameters of developed UV photodiodes based on ZnSe with analogues showed that small capacitance and low value of dark current is their substantial difference of other ones. Рассмотрены конструкция и технология изготовления фотодиодов Шоттки на основе ZnSe, чувствительных в ультрафиолетовой области спектра. Проведены исследования эле­ктро­фи­зи­чес­ких и фотоэлектрических характеристик фотодиодов Шоттки Nі–ZnSe(Te,O)–Іn и показано, что они мо­гут быть применены в приборах для радиометрии и дозиметрии УФ-излучения в диапазонах УФА, УФВ и УФС. Сравнение параметров УФ-фотодиодов на ZnSe с аналогами показали, что су­щес­твенным отличием разработанного фотодиода является его малая емкость и низкое значение тем­но­во­го тока. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-04-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.17 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 17-21 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 17-21 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.17/534 Copyright (c) 2010 Perevertailo V. L., Dobrovol’skiy Yu. G., Popov V. M., Pokanevich A. P., Matskevich V. M., Pizhikov V. D., Shabashkevich B. G., Yur’yev V. G. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-25T17:12:22Z
collection OJS
language Ukrainian
topic фотодиод Шоттки
УФ-излучение
радиометрия
дозиметрия
spellingShingle фотодиод Шоттки
УФ-излучение
радиометрия
дозиметрия
Perevertailo, V. L.
Dobrovol’skiy, Yu. G.
Popov, V. M.
Pokanevich, A. P.
Matskevich, V. M.
Rizhikov, V. D.
Shabashkevich, B. G.
Yur’yev, V. G.
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
topic_facet Schottky photodiode
UV radiation
radiometry
dosimetry
фотодиод Шоттки
УФ-излучение
радиометрия
дозиметрия
format Article
author Perevertailo, V. L.
Dobrovol’skiy, Yu. G.
Popov, V. M.
Pokanevich, A. P.
Matskevich, V. M.
Rizhikov, V. D.
Shabashkevich, B. G.
Yur’yev, V. G.
author_facet Perevertailo, V. L.
Dobrovol’skiy, Yu. G.
Popov, V. M.
Pokanevich, A. P.
Matskevich, V. M.
Rizhikov, V. D.
Shabashkevich, B. G.
Yur’yev, V. G.
author_sort Perevertailo, V. L.
title Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
title_short Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
title_full Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
title_fullStr Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
title_full_unstemmed Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
title_sort фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
title_alt The photodiode of UV-range on the basis of ZnSe
description The construction and technology of Shottky photodiode on the basis of ZnSe, sensible in the ultraviolet region of spectrum are considered. Researches of electrophysical and photo-electric descriptions of photodiodes of Shottky Nі–ZnSe(Te,O)–Іn are conducted, and it is shown, that they can be applied in devices for radiometry and dissymmetry UV radiations in the ranges UVA, UVB and UVC. Comparison of parameters of developed UV photodiodes based on ZnSe with analogues showed that small capacitance and low value of dark current is their substantial difference of other ones.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2010
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.17
work_keys_str_mv AT perevertailovl thephotodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT dobrovolskiyyug thephotodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT popovvm thephotodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT pokanevichap thephotodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT matskevichvm thephotodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT rizhikovvd thephotodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT shabashkevichbg thephotodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT yuryevvg thephotodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT perevertailovl fotodiodulʹtrafioletovogodiapazonanaosnoveselenidacinka
AT dobrovolskiyyug fotodiodulʹtrafioletovogodiapazonanaosnoveselenidacinka
AT popovvm fotodiodulʹtrafioletovogodiapazonanaosnoveselenidacinka
AT pokanevichap fotodiodulʹtrafioletovogodiapazonanaosnoveselenidacinka
AT matskevichvm fotodiodulʹtrafioletovogodiapazonanaosnoveselenidacinka
AT rizhikovvd fotodiodulʹtrafioletovogodiapazonanaosnoveselenidacinka
AT shabashkevichbg fotodiodulʹtrafioletovogodiapazonanaosnoveselenidacinka
AT yuryevvg fotodiodulʹtrafioletovogodiapazonanaosnoveselenidacinka
AT perevertailovl photodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT dobrovolskiyyug photodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT popovvm photodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT pokanevichap photodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT matskevichvm photodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT rizhikovvd photodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT shabashkevichbg photodiodeofuvrangeonthebasisofznse
AT yuryevvg photodiodeofuvrangeonthebasisofznse
first_indexed 2025-12-02T15:19:19Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:19Z
_version_ 1850410280396259328

Схожі ресурси