Buchumschlag

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка

The construction and technology of Shottky photodiode on the basis of ZnSe, sensible in the ultraviolet region of spectrum are considered. Researches of electrophysical and photo-electric descriptions of photodiodes of Shottky Nі–ZnSe(Te,O)–Іn are conducted, and it is shown, that they can be applied...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Perevertailo, V. L., Dobrovol’skiy, Yu. G., Popov, V. M., Pokanevich, A. P., Matskevich, V. M., Rizhikov, V. D., Shabashkevich, B. G., Yur’yev, V. G.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	фотодиод Шоттки УФ-излучение радиометрия дозиметрия
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.17
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности
von: Doctorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Diffraction on a polycrystal for investigations and diagnostics of X-ray radiation of relativistic particles in a forward direction
von: Shchagin, A.V.
Veröffentlicht: (2004)

Радиально-двухслойный квазиоптический диэлектрический резонатор для диэлектрометрии
von: Прокопенко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Параметрическое черенковское излучение (развитие идеи)
von: Буц, В.А.
Veröffentlicht: (2004)

Параметрическая неустойчивость ансамбля линейных электронных осцилляторов в фазоинверсном электромагнитном поле
von: Лукин, К.А.
Veröffentlicht: (2004)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Anti-reflection coatings based on SnO₂, SiO₂, Si₃N₄ films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
von: Dobrovolskiy, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Anti-reflection coatings based on SnO2, SiO2, Si3N4 films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
von: Yu. G. Dobrovolskiy, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Budzulyak, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Методика диагностики электронных пучков среднего уровня мощности по переходному излучению
von: Vorobyov , G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2006)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Радиометр ультрафиолетового излучения "Тензор-31"
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Сравнительный расчет термодинамических свойств селенида цинка
von: Кобзарь-Зленко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (1983)

Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава
von: Dubeshko, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Детекторы сцинтиллятор фотодиод для инспекционных рентгеновских интроскопических систем
von: Рыжиков, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

ВПЛИВ УЛЬТАФІОЛЕТОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ЖИТТЄЗДАТНІСТЬ ВЕГЕТАТИВНИХ КЛІТИН І ЦИСТ AZOTOBACTER CHROOCOCCUM 2.1
von: Білоконська, О.М.
Veröffentlicht: (2018)

Перспективы применения селенида цинка для цифровой радиографии
von: Воронкин, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
von: Politanskyy, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Melebayev, D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)