Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
The construction and technology of Shottky photodiode on the basis of ZnSe, sensible in the ultraviolet region of spectrum are considered. Researches of electrophysical and photo-electric descriptions of photodiodes of Shottky Nі–ZnSe(Te,O)–Іn are conducted, and it is shown, that they can be applied...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.17 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2010)
Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности
за авторством: Doctorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Doctorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2008)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)
Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2009)
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2009)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
Diffraction on a polycrystal for investigations and diagnostics of X-ray radiation of relativistic particles in a forward direction
за авторством: Shchagin, A.V.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Shchagin, A.V.
Опубліковано: (2004)
Радиально-двухслойный квазиоптический диэлектрический резонатор для диэлектрометрии
за авторством: Прокопенко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Прокопенко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Параметрическое черенковское излучение (развитие идеи)
за авторством: Буц, В.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Буц, В.А.
Опубліковано: (2004)
Параметрическая неустойчивость ансамбля линейных электронных осцилляторов в фазоинверсном электромагнитном поле
за авторством: Лукин, К.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Лукин, К.А.
Опубліковано: (2004)
Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
за авторством: Doktorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Doktorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Anti-reflection coatings based on SnO₂, SiO₂, Si₃N₄ films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
за авторством: Dobrovolskiy, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dobrovolskiy, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2011)
Anti-reflection coatings based on SnO2, SiO2, Si3N4 films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
за авторством: Yu. G. Dobrovolskiy, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Yu. G. Dobrovolskiy, та інші
Опубліковано: (2011)
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Budzulyak, S. I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Budzulyak, S. I., та інші
Опубліковано: (2014)
Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Методика диагностики электронных пучков среднего уровня мощности по переходному излучению
за авторством: Vorobyov , G. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vorobyov , G. S., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006)
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Колежук, К.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Радиометр ультрафиолетового излучения "Тензор-31"
за авторством: Бутенко, В.К., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Бутенко, В.К., та інші
Опубліковано: (2006)
Сравнительный расчет термодинамических свойств селенида цинка
за авторством: Кобзарь-Зленко, В.А., та інші
Опубліковано: (1983)
за авторством: Кобзарь-Зленко, В.А., та інші
Опубліковано: (1983)
Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава
за авторством: Dubeshko, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Dubeshko, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Детекторы сцинтиллятор фотодиод для инспекционных рентгеновских интроскопических систем
за авторством: Рыжиков, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Рыжиков, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
ВПЛИВ УЛЬТАФІОЛЕТОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ЖИТТЄЗДАТНІСТЬ ВЕГЕТАТИВНИХ КЛІТИН І ЦИСТ AZOTOBACTER CHROOCOCCUM 2.1
за авторством: Білоконська, О.М.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Білоконська, О.М.
Опубліковано: (2018)
Перспективы применения селенида цинка для цифровой радиографии
за авторством: Воронкин, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Воронкин, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)