Buchumschlag

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка

The construction and technology of Shottky photodiode on the basis of ZnSe, sensible in the ultraviolet region of spectrum are considered. Researches of electrophysical and photo-electric descriptions of photodiodes of Shottky Nі–ZnSe(Te,O)–Іn are conducted, and it is shown, that they can be applied...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Perevertailo, V. L., Dobrovol’skiy, Yu. G., Popov, V. M., Pokanevich, A. P., Matskevich, V. M., Rizhikov, V. D., Shabashkevich, B. G., Yur’yev, V. G.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	фотодиод Шоттки УФ-излучение радиометрия дозиметрия
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.17
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Dobrovolsky, Yu. G.
Veröffentlicht: (2006)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Дозиметры энергетической освещенности ультрафиолетового излучения типа "Тензор"
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Радиометр ультрафиолетового излучения "Тензор-31"
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности
von: Doctorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Сравнительный расчет термодинамических свойств селенида цинка
von: Кобзарь-Зленко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (1983)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Перспективы применения селенида цинка для цифровой радиографии
von: Воронкин, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Anti-reflection coatings based on SnO₂, SiO₂, Si₃N₄ films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
von: Dobrovolskiy, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Anti-reflection coatings based on SnO2, SiO2, Si3N4 films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
von: Yu. G. Dobrovolskiy, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка
von: Мазилов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Трансформация дефектной структуры кристаллов селенида цинка под воздействием водорода
von: Гальчинецкий, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2006)

Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Сцинтилляционные экраны на основе селенида цинка и оксидных сцинтилляторов для неразрушающего контроля
von: Воронкин, Е.Ф.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
von: Rybka, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава
von: Dubeshko, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Детекторы сцинтиллятор фотодиод для инспекционных рентгеновских интроскопических систем
von: Рыжиков, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Радиометр ультрафиолетового излучения "Тензор-31"
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
von: Politanskyy, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Melebayev, D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)