Buchumschlag

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка

The construction and technology of Shottky photodiode on the basis of ZnSe, sensible in the ultraviolet region of spectrum are considered. Researches of electrophysical and photo-electric descriptions of photodiodes of Shottky Nі–ZnSe(Te,O)–Іn are conducted, and it is shown, that they can be applied...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Perevertailo, V. L., Dobrovol’skiy, Yu. G., Popov, V. M., Pokanevich, A. P., Matskevich, V. M., Rizhikov, V. D., Shabashkevich, B. G., Yur’yev, V. G.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	фотодиод Шоттки УФ-излучение радиометрия дозиметрия
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.17
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Дозиметры энергетической освещенности ультрафиолетового излучения типа "Тензор"
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Радиометр ультрафиолетового излучения "Тензор-31"
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности
von: Doctorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Dobrovolsky, Yu. G.
Veröffentlicht: (2006)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
von: Ryuhtin, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
von: Rybka, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных γ-квантов
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Diffraction on a polycrystal for investigations and diagnostics of X-ray radiation of relativistic particles in a forward direction
von: Shchagin, A.V.
Veröffentlicht: (2004)

Двухспектральный фотоприемник
von: Dobrovol’sky, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Параметрическое черенковское излучение (развитие идеи)
von: Буц, В.А.
Veröffentlicht: (2004)

Радиально-двухслойный квазиоптический диэлектрический резонатор для диэлектрометрии
von: Прокопенко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Параметрическая неустойчивость ансамбля линейных электронных осцилляторов в фазоинверсном электромагнитном поле
von: Лукин, К.А.
Veröffentlicht: (2004)

Резонансная плоская решетка резонансных магнитодиэлектрических сфер
von: Козарь, А.И.
Veröffentlicht: (2004)

Искусственный диэлектрик, образованный сферическими диэлектрическими рассеивателями
von: Брызгалов, Г.А.
Veröffentlicht: (2004)

Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники
von: Vikulin, I. М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Anti-reflection coatings based on SnO2, SiO2, Si3N4 films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
von: Yu. G. Dobrovolskiy, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Anti-reflection coatings based on SnO₂, SiO₂, Si₃N₄ films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
von: Dobrovolskiy, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Радиометрия СВЧ-диапазона: медицинские аспекты использования
von: Kolisnichenko, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Budzulyak, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Методика диагностики электронных пучков среднего уровня мощности по переходному излучению
von: Vorobyov , G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2006)

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)