Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
Investigation results in technology of doping Sn and Bi of perfect GaAs structures preparation by the lowe-temperature isothermal chloride epitaxy method are presented. A complex problem has been solved to obtain planar layers of the n+–n–n0–p type bipolar transistors and planar la...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.31 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-592 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-5922025-11-25T17:12:22Z Producing of pover GaAs structures of bipolar and field-effect transistor by CVD-method Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии Voronin, V. A. Guba, S. K. Kurilo, I. V. chloride-hydride epitaxy bipolar transistor field effect transistor with a Schottky barrier III-V compounds horizontal continuous-flow reactor хлорид-гидридная эпитаксия биполярный транзистор полевой транзистор с барьером Шоттки соединения III-V прямоточный горизонтальный реактор Investigation results in technology of doping Sn and Bi of perfect GaAs structures preparation by the lowe-temperature isothermal chloride epitaxy method are presented. A complex problem has been solved to obtain planar layers of the n+–n–n0–p type bipolar transistors and planar layers of the i–n0–n–n+ type Schottky field-effect transistors. Heterogenetty in the thickness less than 3% and doping level less than 5% has been achieved. This allowed to get the discrete Schottky field-effect transistors with improved operation characteristics. Описываются результаты исследований технологии получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур на базе GaAs, легированного Sn и Bi. Для получения планарных слоев структур биполярных транзисторов на базе GaAs типа n+–n–n0–p и планарных слоев структур типа i–n0–n–n+ полевых транзисторов с барьером Шоттки решена комплексная технологическая задача. Достигнута неоднородность по толщине менее 3% и уровню легирования менее 5%. Это позволило улучшить эксплуатационные характеристики ПТШ. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-06-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.31 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 31-35 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 31-35 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.31/537 Copyright (c) 2010 Voronin V. A., Guba S. K., Kurilo I. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-11-25T17:12:22Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
хлорид-гидридная эпитаксия биполярный транзистор полевой транзистор с барьером Шоттки соединения III-V прямоточный горизонтальный реактор |
| spellingShingle |
хлорид-гидридная эпитаксия биполярный транзистор полевой транзистор с барьером Шоттки соединения III-V прямоточный горизонтальный реактор Voronin, V. A. Guba, S. K. Kurilo, I. V. Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| topic_facet |
chloride-hydride epitaxy bipolar transistor field effect transistor with a Schottky barrier III-V compounds horizontal continuous-flow reactor хлорид-гидридная эпитаксия биполярный транзистор полевой транзистор с барьером Шоттки соединения III-V прямоточный горизонтальный реактор |
| format |
Article |
| author |
Voronin, V. A. Guba, S. K. Kurilo, I. V. |
| author_facet |
Voronin, V. A. Guba, S. K. Kurilo, I. V. |
| author_sort |
Voronin, V. A. |
| title |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_short |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_full |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_fullStr |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_full_unstemmed |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_sort |
получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_alt |
Producing of pover GaAs structures of bipolar and field-effect transistor by CVD-method |
| description |
Investigation results in technology of doping Sn and Bi of perfect GaAs structures preparation by the lowe-temperature isothermal chloride epitaxy method are presented. A complex problem has been solved to obtain planar layers of the n+–n–n0–p type bipolar transistors and planar layers of the i–n0–n–n+ type Schottky field-effect transistors. Heterogenetty in the thickness less than 3% and doping level less than 5% has been achieved. This allowed to get the discrete Schottky field-effect transistors with improved operation characteristics. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2010 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.31 |
| work_keys_str_mv |
AT voroninva producingofpovergaasstructuresofbipolarandfieldeffecttransistorbycvdmethod AT gubask producingofpovergaasstructuresofbipolarandfieldeffecttransistorbycvdmethod AT kuriloiv producingofpovergaasstructuresofbipolarandfieldeffecttransistorbycvdmethod AT voroninva polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznojépitaksii AT gubask polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznojépitaksii AT kuriloiv polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznojépitaksii |
| first_indexed |
2025-12-02T15:19:19Z |
| last_indexed |
2025-12-02T15:19:19Z |
| _version_ |
1850410280884895744 |