Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

• Дата: 2010
• Автори: Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
• Теми: хлорид-гидридная эпитаксия; биполярный транзистор; полевой транзистор с барьером Шоттки; сое­ди­не­ния III-V; прямоточный горизонтальный реактор
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.31
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Investigation results in technology of doping Sn and Bi of perfect GaAs structures preparation by the lowe-temperature isothermal chloride epitaxy method are presented. A complex problem has been solved to obtain planar layers of the n+–n–n0–p type bipolar transistors and planar la...