Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
A new physical method of Cd1–xZnxTe-detector’s treatment – photoelectrostimulated passivation is developed. In its frames, oxidation of the sample followed by the formation of high-resistance oxide layer on the surface occurs at simultaneous action of both intense light radiation and electric field....
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.56 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-598 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-5982025-11-25T17:12:22Z Photoelectrostimulated passivation of spectrometric Cd1–xZnxTe-detectors Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов Zagoruiko, Yu. A. Khristyan, V. A. Fedorenko, O. A. photoelectroinduced surface passivation leakage currents Cd1-xZnxTe detector фотоэлектростимулированная пассивация поверхности токи утечки Cd1–xZnxTe-детектор A new physical method of Cd1–xZnxTe-detector’s treatment – photoelectrostimulated passivation is developed. In its frames, oxidation of the sample followed by the formation of high-resistance oxide layer on the surface occurs at simultaneous action of both intense light radiation and electric field. It is shown that the method is easily realized and provides the obtaining of thick high-resistance oxide films, that essentially increases the surface electrical resistance of Cd1–xZnxTe-samples and diminishes leakage currents in them. Разработан новый физический метод пассивации Cd1–xZnxTe-детекторов — фотоэлектростимулированная пассивация, при которой окисление образца с образованием на его поверхности высокоомного оксидного слоя происходит при одновременном воздействии интенсивного светового облучения и электрического поля. Показано, что метод технологичен и обеспечивает получение толстых оксидных пленок, что существенно увеличивает поверхностное электросопротивление образцов Cd1–xZnxTe и уменьшает в них токи утечки. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-04-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.56 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 56-57 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 56-57 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.56/543 Copyright (c) 2010 Zagoruiko Yu. A., Khristyan V. A., Fedorenko O. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-11-25T17:12:22Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
фотоэлектростимулированная пассивация поверхности токи утечки Cd1–xZnxTe-детектор |
| spellingShingle |
фотоэлектростимулированная пассивация поверхности токи утечки Cd1–xZnxTe-детектор Zagoruiko, Yu. A. Khristyan, V. A. Fedorenko, O. A. Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов |
| topic_facet |
photoelectroinduced surface passivation leakage currents Cd1-xZnxTe detector фотоэлектростимулированная пассивация поверхности токи утечки Cd1–xZnxTe-детектор |
| format |
Article |
| author |
Zagoruiko, Yu. A. Khristyan, V. A. Fedorenko, O. A. |
| author_facet |
Zagoruiko, Yu. A. Khristyan, V. A. Fedorenko, O. A. |
| author_sort |
Zagoruiko, Yu. A. |
| title |
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов |
| title_short |
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов |
| title_full |
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов |
| title_fullStr |
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов |
| title_full_unstemmed |
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов |
| title_sort |
фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических cd1–xznxte-детекторов |
| title_alt |
Photoelectrostimulated passivation of spectrometric Cd1–xZnxTe-detectors |
| description |
A new physical method of Cd1–xZnxTe-detector’s treatment – photoelectrostimulated passivation is developed. In its frames, oxidation of the sample followed by the formation of high-resistance oxide layer on the surface occurs at simultaneous action of both intense light radiation and electric field. It is shown that the method is easily realized and provides the obtaining of thick high-resistance oxide films, that essentially increases the surface electrical resistance of Cd1–xZnxTe-samples and diminishes leakage currents in them. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2010 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.56 |
| work_keys_str_mv |
AT zagoruikoyua photoelectrostimulatedpassivationofspectrometriccd1xznxtedetectors AT khristyanva photoelectrostimulatedpassivationofspectrometriccd1xznxtedetectors AT fedorenkooa photoelectrostimulatedpassivationofspectrometriccd1xznxtedetectors AT zagoruikoyua fotoélektrostimulirovannaâpassivaciâspektrometričeskihcd1xznxtedetektorov AT khristyanva fotoélektrostimulirovannaâpassivaciâspektrometričeskihcd1xznxtedetektorov AT fedorenkooa fotoélektrostimulirovannaâpassivaciâspektrometričeskihcd1xznxtedetektorov |
| first_indexed |
2025-12-02T15:19:20Z |
| last_indexed |
2025-12-02T15:19:20Z |
| _version_ |
1850410282098098176 |