Buchumschlag

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов

A new physical method of Cd1–xZnxTe-detector’s treatment – photoelectrostimulated passivation is developed. In its frames, oxidation of the sample followed by the formation of high-resistance oxide layer on the surface occurs at simultaneous action of both intense light radiation and electric field....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Zagoruiko, Yu. A., Khristyan, V. A., Fedorenko, O. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	фотоэлектростимулированная пассивация поверхности токи утечки Cd1–xZnxTe-детектор
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.56
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
von: Rybka, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Vlasenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Skrypnyk, A. I.
Veröffentlicht: (2015)

Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
von: Z. F. Tomashik, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Laser ablation and photostimulated passivation of Cd₁₋ₓZnₓTe crystals
von: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
von: Литовченко, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
von: Gentsar, P.O., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Baidullaeva, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
von: Feychuk, P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
von: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Structural and microstructural properties of Cd₁-xZnxTe films deposited by close spaced vacuum sublimation
von: Znamenshchykov, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
von: Lysyuk, I. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2012)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
von: Pavluchenko, Alexey, et al.
Veröffentlicht: (2021)

ПОТЕРИ ОТ УРАВНИТЕЛЬНЫХ ТОКОВ В МНОГОЖИЛЬНЫХ ОБМОТКАХ БЕСПАЗОВЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАШИН
von: Антонов, А.Е., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
von: Kondrik, Оleksandr, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
von: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
von: K. D. Glinchuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)