Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
A new physical method of Cd1–xZnxTe-detector’s treatment – photoelectrostimulated passivation is developed. In its frames, oxidation of the sample followed by the formation of high-resistance oxide layer on the surface occurs at simultaneous action of both intense light radiation and electric field....
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | Zagoruiko, Yu. A., Khristyan, V. A., Fedorenko, O. A. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.56 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
by: Загоруйко, Ю.А., et al.
Published: (2010)
by: Загоруйко, Ю.А., et al.
Published: (2010)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2011)
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2011)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
by: Kutniy, V. E., et al.
Published: (2005)
by: Kutniy, V. E., et al.
Published: (2005)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Tomashik, Z. F., et al.
Published: (2013)
by: Tomashik, Z. F., et al.
Published: (2013)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2007)
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2007)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
by: Pigur, O. N., et al.
Published: (2011)
by: Pigur, O. N., et al.
Published: (2011)
Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
by: Rybka, A. V., et al.
Published: (2006)
by: Rybka, A. V., et al.
Published: (2006)
Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
by: Glinchuk, K.D., et al.
Published: (2005)
by: Glinchuk, K.D., et al.
Published: (2005)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
by: Vlasenko, A. I., et al.
Published: (2004)
by: Vlasenko, A. I., et al.
Published: (2004)
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
by: Yakovkin, I.N.
Published: (2021)
by: Yakovkin, I.N.
Published: (2021)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
by: Skrypnyk, A. I.
Published: (2015)
by: Skrypnyk, A. I.
Published: (2015)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
by: Z. F. Tomashik, et al.
Published: (2013)
by: Z. F. Tomashik, et al.
Published: (2013)
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
by: Glinchuk, K.D., et al.
Published: (2003)
by: Glinchuk, K.D., et al.
Published: (2003)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Томашик, З.Ф., et al.
Published: (2013)
by: Томашик, З.Ф., et al.
Published: (2013)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
by: Mokritsky, V. A., et al.
Published: (2005)
by: Mokritsky, V. A., et al.
Published: (2005)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
by: Tsybrii, Z. F., et al.
Published: (2017)
by: Tsybrii, Z. F., et al.
Published: (2017)
Laser ablation and photostimulated passivation of Cd₁₋ₓZnₓTe crystals
by: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Published: (2012)
by: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Published: (2012)
Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2010)
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2010)
Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
by: Литовченко, Н.М., et al.
Published: (2010)
by: Литовченко, Н.М., et al.
Published: (2010)
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
by: Gentsar, P.O., et al.
Published: (2021)
by: Gentsar, P.O., et al.
Published: (2021)
Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Baidullaeva, А., et al.
Published: (2007)
by: Baidullaeva, А., et al.
Published: (2007)
Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
by: Veleschuk, V. P., et al.
Published: (2018)
by: Veleschuk, V. P., et al.
Published: (2018)
Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
by: Feychuk, P., et al.
Published: (2005)
by: Feychuk, P., et al.
Published: (2005)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
by: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Published: (2004)
by: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Published: (2004)
Structural and microstructural properties of Cd₁-xZnxTe films deposited by close spaced vacuum sublimation
by: Znamenshchykov, Y.V., et al.
Published: (2016)
by: Znamenshchykov, Y.V., et al.
Published: (2016)
Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
by: Lysyuk, I. O., et al.
Published: (2018)
by: Lysyuk, I. O., et al.
Published: (2018)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018)
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
by: Parkhomenko, H. P., et al.
Published: (2016)
by: Parkhomenko, H. P., et al.
Published: (2016)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
by: Kondrik, A. I.
Published: (2016)
by: Kondrik, A. I.
Published: (2016)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
by: Kondrik, A. I.
Published: (2012)
by: Kondrik, A. I.
Published: (2012)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
by: Kovaliuk, Taras, et al.
Published: (2021)
by: Kovaliuk, Taras, et al.
Published: (2021)
Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
by: Pavluchenko, Alexey, et al.
Published: (2021)
by: Pavluchenko, Alexey, et al.
Published: (2021)
ПОТЕРИ ОТ УРАВНИТЕЛЬНЫХ ТОКОВ В МНОГОЖИЛЬНЫХ ОБМОТКАХ БЕСПАЗОВЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАШИН
by: Антонов, А.Е., et al.
Published: (2011)
by: Антонов, А.Е., et al.
Published: (2011)
Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
by: Kondrik, Alexandr, et al.
Published: (2022)
by: Kondrik, Alexandr, et al.
Published: (2022)
Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
by: Kondrik, Оleksandr, et al.
Published: (2023)
by: Kondrik, Оleksandr, et al.
Published: (2023)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
by: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Published: (2005)
by: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Published: (2005)
On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
by: K. D. Glinchuk, et al.
Published: (2017)
by: K. D. Glinchuk, et al.
Published: (2017)
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
by: Kondrik, Alexander, et al.
Published: (2019)
by: Kondrik, Alexander, et al.
Published: (2019)
Similar Items
-
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
by: Загоруйко, Ю.А., et al.
Published: (2010) -
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2011) -
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
by: Kutniy, V. E., et al.
Published: (2005) -
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Tomashik, Z. F., et al.
Published: (2013) -
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2007)