Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2

Influence of technological parameters (reception conditions, heat treatment and thickness) on electric and sensing properties of SiPcCl2 films is analysed. The films are received by a evaporating method. High sensitivity to oxides of nitrogen is shown. Electric and sensing properties are compared at...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2010
Main Authors: Alieva, Kh. S., Sulejmanov, S. S., Murshudli, M. N.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Subjects:
газочувствительный элемент
резистивная структура
оксиды азота
напыление пленок
детектирующие характеристики фталоцианина кремния
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.58
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-599
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5992025-11-25T17:12:22Z Gasosensing elements on the base of SiPcCl2 films Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2 Alieva, Kh. S. Sulejmanov, S. S. Murshudli, M. N. gas-sensitive element resistive structure, nitrogen oxides coating films detecting characteristics of silicon phthalocyanine газочувствительный элемент резистивная структура оксиды азота напыление пленок детектирующие характеристики фталоцианина кремния Influence of technological parameters (reception conditions, heat treatment and thickness) on electric and sensing properties of SiPcCl2 films is analysed. The films are received by a evaporating method. High sensitivity to oxides of nitrogen is shown. Electric and sensing properties are compared at gas and temperatures influences. Temperature limits of work are determined. Small response and desorption times with high sensitivity allow using structures with silicon phthalocyanine films in gasosensors. Анализируется влияние технологических параметров (условий получения, термообработки, тол­щи­ны) на характеристики резистивных структур с пленками фталоцианина кремния. Пленки по­лу­че­ны методом напыления. Показана их высокая чувствительность к оксидам азота. Со­по­став­ля­ют­ся электрические и детектирующие свойства при воздействии газа и температуры. Уточнены тем­пе­ра­тур­ные диапазоны работы. Малые значения времени отклика и десорбции наряду с высокой чув­стви­тель­но­стью позволяют использовать чув­стви­тель­ные структуры с фталоцианином крем­ния в газодетекторах. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-04-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.58 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 58-61 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 58-61 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.58/544 Copyright (c) 2010 Alieva Kh. S., Sulejmanov S. S., Murshudli M. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-25T17:12:22Z
collection OJS
language Ukrainian
topic газочувствительный элемент
резистивная структура
оксиды азота
напыление пленок
детектирующие характеристики фталоцианина кремния
spellingShingle газочувствительный элемент
резистивная структура
оксиды азота
напыление пленок
детектирующие характеристики фталоцианина кремния
Alieva, Kh. S.
Sulejmanov, S. S.
Murshudli, M. N.
Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
topic_facet gas-sensitive element
resistive structure
nitrogen oxides
coating films
detecting characteristics of silicon phthalocyanine
газочувствительный элемент
резистивная структура
оксиды азота
напыление пленок
детектирующие характеристики фталоцианина кремния
format Article
author Alieva, Kh. S.
Sulejmanov, S. S.
Murshudli, M. N.
author_facet Alieva, Kh. S.
Sulejmanov, S. S.
Murshudli, M. N.
author_sort Alieva, Kh. S.
title Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
title_short Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
title_full Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
title_fullStr Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
title_full_unstemmed Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
title_sort газочувствительные элементы на основе пленок sipccl2
title_alt Gasosensing elements on the base of SiPcCl2 films
description Influence of technological parameters (reception conditions, heat treatment and thickness) on electric and sensing properties of SiPcCl2 films is analysed. The films are received by a evaporating method. High sensitivity to oxides of nitrogen is shown. Electric and sensing properties are compared at gas and temperatures influences. Temperature limits of work are determined. Small response and desorption times with high sensitivity allow using structures with silicon phthalocyanine films in gasosensors.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2010
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.58
work_keys_str_mv AT alievakhs gasosensingelementsonthebaseofsipccl2films
AT sulejmanovss gasosensingelementsonthebaseofsipccl2films
AT murshudlimn gasosensingelementsonthebaseofsipccl2films
AT alievakhs gazočuvstvitelʹnyeélementynaosnoveplenoksipccl2
AT sulejmanovss gazočuvstvitelʹnyeélementynaosnoveplenoksipccl2
AT murshudlimn gazočuvstvitelʹnyeélementynaosnoveplenoksipccl2
first_indexed 2025-12-02T15:19:20Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:20Z
_version_ 1850410282229170176

Similar Items