Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
The article describes the study of the properties of materials based on CdTe1-xSex suitable for X-ray and gamma radiation detectors. The purpose of the study was to determine by computer modeling the optimal content of impurities and structural defects and the nature of their influence on the electr...
Збережено в:
| Дата: | 2024 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2024
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2024.3-4.15 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-6 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-62025-08-11T09:07:43Z Investigating the possibility of using CdTeSe-based materials for ionizing radiation detectors Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань Kondrik , Оleksandr CdTeSe simulation detector properties electrophysical properties structure defects deep levels CdTeSe моделювання детекторні властивості електрофізичні властивості дефекти структури глибокі рівні The article describes the study of the properties of materials based on CdTe1-xSex suitable for X-ray and gamma radiation detectors. The purpose of the study was to determine by computer modeling the optimal content of impurities and structural defects and the nature of their influence on the electrophysical and detector properties of CdTe(Mn, Mg, Zn)Se, based on the properties of CdTe0. 9Se0. 1 and CdTe0. 05Se0. 95 doped with indium. The values of concentrations Ni, activation energies Ei, and capture cross sections of non-equilibrium charge carriers σi for i-th defects were used as input data for modeling. The author studied the influence of defects on the change in resistivity ρ, concentration of free electrons n0 and holes p0, Fermi level F, life time of non-equilibrium charge carriers τ and charge collection efficiency η of ionizing radiation detectors based on CdTeSe:In at the temperature of 25°C. The paper also highlights the results of quantitative studies of the influence of the impurities and defects content on the properties of CdTe0. 95Se0. 05 with the possible additives of Mn, Mg, and Zn. The regularities of change in ρ, F, η, depending on the content of indium impurities, cadmium and tellurium vacancies were established. The method of achieving a steady high-resistance state was considered. The direction of further research is formulated in order to establish the optimal composition of detector materials based on CdTe1-xSex with additives of manganese, magnesium, and zinc. Представлено результати кількісних досліджень впливу вмісту домішок та структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe0,9Se0,1 і CdTe0,95Se0,05, в тому числі з додаванням Mn, Mg, Zn. Досліджено вплив дефектів на питомий опір, концентрацію вільних носіїв заряду, рівень Фермі, час життя нерівноважних носіїв заряду та ефективність збору зарядів у детекторах випромінювань на основі CdTeSe:In при температурі 25°С. Встановлено залежності параметрів від вмісту домішок та вакансій кадмію і телуру. Розглянуто спосіб досягнення високоомного стану, характерного для матеріалу детекторної якості. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2024-12-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2024.3-4.15 10.15222/TKEA2024.3-4.15 Technology and design in electronic equipment; No. 3–4 (2024): Technology and design in electronic equipment; 15-23 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3–4 (2024): Технологія та конструювання в електронній апаратурі; 15-23 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2024.3-4 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2024.3-4.15/3 Copyright (c) 2024 Оleksandr Kondrik http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-08-11T09:07:43Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
CdTeSe моделювання детекторні властивості електрофізичні властивості дефекти структури глибокі рівні |
| spellingShingle |
CdTeSe моделювання детекторні властивості електрофізичні властивості дефекти структури глибокі рівні Kondrik , Оleksandr Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань |
| topic_facet |
CdTeSe simulation detector properties electrophysical properties structure defects deep levels CdTeSe моделювання детекторні властивості електрофізичні властивості дефекти структури глибокі рівні |
| format |
Article |
| author |
Kondrik , Оleksandr |
| author_facet |
Kondrik , Оleksandr |
| author_sort |
Kondrik , Оleksandr |
| title |
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань |
| title_short |
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань |
| title_full |
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань |
| title_fullStr |
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань |
| title_full_unstemmed |
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань |
| title_sort |
дослідження можливості використання матеріалів на основі cdtese для детекторів іонізуючих випромінювань |
| title_alt |
Investigating the possibility of using CdTeSe-based materials for ionizing radiation detectors |
| description |
The article describes the study of the properties of materials based on CdTe1-xSex suitable for X-ray and gamma radiation detectors. The purpose of the study was to determine by computer modeling the optimal content of impurities and structural defects and the nature of their influence on the electrophysical and detector properties of CdTe(Mn, Mg, Zn)Se, based on the properties of CdTe0. 9Se0. 1 and CdTe0. 05Se0. 95 doped with indium. The values of concentrations Ni, activation energies Ei, and capture cross sections of non-equilibrium charge carriers σi for i-th defects were used as input data for modeling. The author studied the influence of defects on the change in resistivity ρ, concentration of free electrons n0 and holes p0, Fermi level F, life time of non-equilibrium charge carriers τ and charge collection efficiency η of ionizing radiation detectors based on CdTeSe:In at the temperature of 25°C. The paper also highlights the results of quantitative studies of the influence of the impurities and defects content on the properties of CdTe0. 95Se0. 05 with the possible additives of Mn, Mg, and Zn. The regularities of change in ρ, F, η, depending on the content of indium impurities, cadmium and tellurium vacancies were established. The method of achieving a steady high-resistance state was considered. The direction of further research is formulated in order to establish the optimal composition of detector materials based on CdTe1-xSex with additives of manganese, magnesium, and zinc. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2024 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2024.3-4.15 |
| work_keys_str_mv |
AT kondrikoleksandr investigatingthepossibilityofusingcdtesebasedmaterialsforionizingradiationdetectors AT kondrikoleksandr doslídžennâmožlivostívikoristannâmateríalívnaosnovícdtesedlâdetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:19Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:19Z |
| _version_ |
1844167331961372672 |