Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
The most researched materials for uncooled semiconductor detectors of ionizing radiation are CdTe:Cl and Cd0.9Zn0.1Te, which allow to obtain detectors with high values of resistivity ρ and electron mobility. In the process of producing detector materials, the background impurities and defects can be...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2022.1-3.31 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |