Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe

• Дата: 2022
• Автори: Kondrik, Alexandr, Kovtun, Gennadiy
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2022
• Теми: телурид кадмію; CdZnTe; детекторні властивості; моделювання; глибокі рівні
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2022.1-3.31
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The most researched materials for uncooled semiconductor detectors of ionizing radiation are CdTe:Cl and Cd0.9Zn0.1Te, which allow to obtain detectors with high values of resistivity ρ and electron mobility. In the process of producing detector materials, the background impurities and defects can be...