Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами

On the basis of experimental data of dependence of the output photocurrent on the exciting light flow intensity at wide operating voltage range there has been made an estimation of current amplification factor of two-barrier photodiode Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-structure. The increase in amplification fac...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автор: Yodgorova, D. M.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Теми:
фотодиодная структура
эффект усиления
фототок
область объемного заряда
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.3
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-600
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6002025-11-26T22:15:42Z Effect of photocurrent amplification in the photodiode structure with both directly and back switched junctions Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами Yodgorova, D. M. photodiode structure enhancement effect photocurrent space charge region фотодиодная структура эффект усиления фототок область объемного заряда On the basis of experimental data of dependence of the output photocurrent on the exciting light flow intensity at wide operating voltage range there has been made an estimation of current amplification factor of two-barrier photodiode Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-structure. The increase in amplification factor with the voltage increase is explained by photogeneration processes in dilated space charge layer. Such structures, having amplifying property, are of interest for creating of optical signals reception devices. На основе экспериментальных данных за­ви­си­мос­ти вы­ход­но­го фо­то­то­ка от ин­тен­сив­нос­ти воз­буж­да­ю­ще­го све­то­во­го по­то­ка в ши­ро­ком ин­тер­ва­ле ра­бо­чих на­пря­же­ний про­из­ве­де­на оцен­ка ко­эф­фи­ци­ен­та фо­то­элек­три­чес­ко­го уси­ле­ния по то­ку двух­барь­ер­ной фо­то­ди­од­ной Ag–NGaAs–nGaInAs–Ag-струк­ту­ры. Уве­ли­че­ние ко­эф­фи­ци­ен­та уси­ле­ния с рос­том на­пря­же­ния объяс­не­но фо­то­ге­не­ра­ци­он­ны­ми про­цес­са­ми в рас­ши­ря­е­мом слое объем­но­го за­ря­да. Та­кие струк­ту­ры об­ла­да­ют свой­ством уси­ли­те­ля и пред­став­ля­ют ин­те­рес для соз­да­ния ус­тройств при­е­ма оп­ти­чес­ких сиг­на­лов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-02-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.3 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-5 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-5 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.3/545 Copyright (c) 2010 Yodgorova D. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-26T22:15:42Z
collection OJS
language Ukrainian
topic фотодиодная структура
эффект усиления
фототок
область объемного заряда
spellingShingle фотодиодная структура
эффект усиления
фототок
область объемного заряда
Yodgorova, D. M.
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
topic_facet photodiode structure
enhancement effect
photocurrent
space charge region
фотодиодная структура
эффект усиления
фототок
область объемного заряда
format Article
author Yodgorova, D. M.
author_facet Yodgorova, D. M.
author_sort Yodgorova, D. M.
title Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_short Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_full Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_fullStr Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_full_unstemmed Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_sort эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
title_alt Effect of photocurrent amplification in the photodiode structure with both directly and back switched junctions
description On the basis of experimental data of dependence of the output photocurrent on the exciting light flow intensity at wide operating voltage range there has been made an estimation of current amplification factor of two-barrier photodiode Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-structure. The increase in amplification factor with the voltage increase is explained by photogeneration processes in dilated space charge layer. Such structures, having amplifying property, are of interest for creating of optical signals reception devices.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2010
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.3
work_keys_str_mv AT yodgorovadm effectofphotocurrentamplificationinthephotodiodestructurewithbothdirectlyandbackswitchedjunctions
AT yodgorovadm éffektusileniâfototokavfotodiodnojstrukturesprâmoiobratnovklûčennymiperehodami
first_indexed 2025-12-02T15:19:21Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:21Z
_version_ 1850410282346610688

Схожі ресурси