Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
On the basis of experimental data of dependence of the output photocurrent on the exciting light flow intensity at wide operating voltage range there has been made an estimation of current amplification factor of two-barrier photodiode Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-structure. The increase in amplification fac...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автор: | Yodgorova, D. M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.3 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2010)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Сапаев, И.Б., та інші
Опубліковано: (2015)
О возможности усиления фототока плазмы газового разряда в преобразователях изображений ионизационного типа
за авторством: Касымов, Ш.С., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Касымов, Ш.С., та інші
Опубліковано: (2010)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
за авторством: Rodionov, I. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Rodionov, I. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Подавление фототока ФЭУ внешним ВЧ-полем
за авторством: Антонов, А.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Антонов, А.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)
Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)
Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения в микросхеме
за авторством: Konnikov, I. A.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Konnikov, I. A.
Опубліковано: (2006)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Атрибутные транзиционные системы со скрытыми переходами
за авторством: Скобелев, В.В.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Скобелев, В.В.
Опубліковано: (2017)
Натуралізація інтродукованих деревних рослин у Кіровоградській області (на прикладі дендропарку у с. Новоселиця)
за авторством: Shynder, O. I.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Shynder, O. I.
Опубліковано: (2021)
Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)
Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Тенденції виникнення пожеж у лісах України
за авторством: Voron, V. P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Voron, V. P., та інші
Опубліковано: (2019)
Расчет нормальных допусков с учетом отклонений коэффициентов внешних воздействий
за авторством: Shilo, G. N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Shilo, G. N., та інші
Опубліковано: (2009)
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА В ФЕРРОМАГНЕТИКЕ ПРИ СИНУСОИДАЛЬНОМ МАГНИТНОМ ПОТОКЕ
за авторством: Петухов, И.С.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Петухов, И.С.
Опубліковано: (2013)
Магнитопластический эффект в условиях испытаний на кинетическое индентирование
за авторством: Сейдаметов, С.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Сейдаметов, С.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Розташування атомів Al та Si у заміщеному карбіді бору
за авторством: Garbuz, V. V., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Garbuz, V. V., та інші
Опубліковано: (2023)
Детонационный углерод в полимерах. модель усиления
за авторством: Возняковский, А.П.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Возняковский, А.П.
Опубліковано: (2011)
Оптимальное управление формированием усиления сварного шва
за авторством: Долиненко, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Долиненко, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Стабильность вторичной структуры олигонуклеотидных субстратов. Эффект ДНК-метилазы Ecodam
за авторством: Речкунова, Н.И., та інші
Опубліковано: (1989)
за авторством: Речкунова, Н.И., та інші
Опубліковано: (1989)
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2010)
Механизм усиления полимерных нанокомпозитов, наполненных углеродными нанотрубками
за авторством: Козлов, Г.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Козлов, Г.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Институциональные условия усиления внедрения инвестиций интенсивного типа
за авторством: Павлов, К.В.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Павлов, К.В.
Опубліковано: (2010)
Квазигомогенная модель газодисперсных течений с химическими реакциями и фазовыми переходами
за авторством: Тимошенко, В.И.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Тимошенко, В.И.
Опубліковано: (2018)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)
О критериях поверхностной активности и классификации изотерм поверхностного натяжения на основе данных о структуре расплава
за авторством: Перевертайло, В.М., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Перевертайло, В.М., та інші
Опубліковано: (2015)
Джозефсоновский π-контакт в структуре MoRe—Ni₂MnGa—I—Pb/Sn
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Пакет прикладных программ для классификации белков по их аминокислотному составу и первичной структуре
за авторством: Парилис, И.И., та інші
Опубліковано: (1991)
за авторством: Парилис, И.И., та інші
Опубліковано: (1991)
Схожі ресурси
-
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2010) -
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008) -
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009) -
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)