Buchumschlag

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами

On the basis of experimental data of dependence of the output photocurrent on the exciting light flow intensity at wide operating voltage range there has been made an estimation of current amplification factor of two-barrier photodiode Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-structure. The increase in amplification fac...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
1. Verfasser:	Yodgorova, D. M.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	фотодиодная структура эффект усиления фототок область объемного заряда
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.3
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2010)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

О возможности усиления фототока плазмы газового разряда в преобразователях изображений ионизационного типа
von: Касымов, Ш.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
von: Сапаев, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Подавление фототока ФЭУ внешним ВЧ-полем
von: Антонов, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
von: Rodionov, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Универсальная схема управления мощными высоковольтными МОП-инверторами, исключающая тиристорный эффект
von: Gavrilyuk, G. I., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Ivanova, P. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Лавинно-каскадное усиление импульса в pn-i-pn структуре с обратно смещенными p-n переходами
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения в микросхеме
von: Konnikov, I. A.
Veröffentlicht: (2006)

Натуралізація інтродукованих деревних рослин у Кіровоградській області (на прикладі дендропарку у с. Новоселиця)
von: Shynder, O. I.
Veröffentlicht: (2021)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
von: Politanskyy, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Атрибутные транзиционные системы со скрытыми переходами
von: Скобелев, В.В.
Veröffentlicht: (2017)

Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
von: Kasimov, F. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Дефектообразование,индуцированное электронными переходами в твердом аргоне
von: Савченко, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Тенденції виникнення пожеж у лісах України
von: Voron, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Расчет нормальных допусков с учетом отклонений коэффициентов внешних воздействий
von: Shilo, G. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оптимальное управление формированием усиления сварного шва
von: Долиненко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Детонационный углерод в полимерах. модель усиления
von: Возняковский, А.П.
Veröffentlicht: (2011)

Магнитопластический эффект в условиях испытаний на кинетическое индентирование
von: Сейдаметов, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА В ФЕРРОМАГНЕТИКЕ ПРИ СИНУСОИДАЛЬНОМ МАГНИТНОМ ПОТОКЕ
von: Петухов, И.С.
Veröffentlicht: (2013)

Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Bodnaruk, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Розташування атомів Al та Si у заміщеному карбіді бору
von: Garbuz, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Стабильность вторичной структуры олигонуклеотидных субстратов. Эффект ДНК-метилазы Ecodam
von: Речкунова, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (1989)

Механизм усиления полимерных нанокомпозитов, наполненных углеродными нанотрубками
von: Козлов, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Институциональные условия усиления внедрения инвестиций интенсивного типа
von: Павлов, К.В.
Veröffentlicht: (2010)

Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
von: Reva, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2010)