Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур

The construction of mercury microprobe has been proposed for measurement of electrophysical characteristics of semiconductor materials and IS(MIS) structures with 5—25 micron locality. Local electrophysical properties of technological Si–SiO2 structures with thin oxides in the region of ele...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Popov, V. M., Klimenko, A. S., Pokanevich, A. P., Shustov, Yu. M.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Теми:
МДП-структуры
ртутный зонд
электрически активные дефекты
вольт-фарадные характеристики
механические напряжения
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.35
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-611
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6112025-11-26T22:15:42Z The mercury microprobe for investigation of local electrophysical properties of semiconductor structures Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур Popov, V. M. Klimenko, A. S. Pokanevich, A. P. Shustov, Yu. M. MIS structure mercury probe electrically active defects capacity-voltage characteristic mechanical stresses МДП-структуры ртутный зонд электрически активные дефекты вольт-фарадные характеристики механические напряжения The construction of mercury microprobe has been proposed for measurement of electrophysical characteristics of semiconductor materials and IS(MIS) structures with 5—25 micron locality. Local electrophysical properties of technological Si–SiO2 structures with thin oxides in the region of electrically active defects on the silicon surface have been investigated. The influence of mechanical stresses near the edge of MIS structure electrodes on the local values of fixed charge in oxide has been shown. Предложена конструкция ртутного микрозонда для измерения электрофизических ха­рак­те­рис­тик полупроводниковых материалов и ДП-, МДП-структур с локальностью 5—25 мкм. Ис­сле­до­ва­ны локальные электрофизические свойства технологических структур Si–SiO2 со сверх­тон­ким слоем оксида в области электрически активных дефектов на поверхности кремния. По­ка­за­но влияние механических напряжений вблизи края электродов МДП-структур на ло­каль­ные зна­че­ния фиксированного заряда в оксиде. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-02-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.35 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 35-38 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 35-38 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.35/554 Copyright (c) 2010 Popov V. M., Klimenko A. S., Pokanevich A. P., Shustov Yu. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-26T22:15:42Z
collection OJS
language Ukrainian
topic МДП-структуры
ртутный зонд
электрически активные дефекты
вольт-фарадные характеристики
механические напряжения
spellingShingle МДП-структуры
ртутный зонд
электрически активные дефекты
вольт-фарадные характеристики
механические напряжения
Popov, V. M.
Klimenko, A. S.
Pokanevich, A. P.
Shustov, Yu. M.
Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
topic_facet MIS structure
mercury probe
electrically active defects
capacity-voltage characteristic
mechanical stresses
МДП-структуры
ртутный зонд
электрически активные дефекты
вольт-фарадные характеристики
механические напряжения
format Article
author Popov, V. M.
Klimenko, A. S.
Pokanevich, A. P.
Shustov, Yu. M.
author_facet Popov, V. M.
Klimenko, A. S.
Pokanevich, A. P.
Shustov, Yu. M.
author_sort Popov, V. M.
title Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
title_short Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
title_full Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
title_fullStr Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
title_full_unstemmed Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
title_sort ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
title_alt The mercury microprobe for investigation of local electrophysical properties of semiconductor structures
description The construction of mercury microprobe has been proposed for measurement of electrophysical characteristics of semiconductor materials and IS(MIS) structures with 5—25 micron locality. Local electrophysical properties of technological Si–SiO2 structures with thin oxides in the region of electrically active defects on the silicon surface have been investigated. The influence of mechanical stresses near the edge of MIS structure electrodes on the local values of fixed charge in oxide has been shown.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2010
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.35
work_keys_str_mv AT popovvm themercurymicroprobeforinvestigationoflocalelectrophysicalpropertiesofsemiconductorstructures
AT klimenkoas themercurymicroprobeforinvestigationoflocalelectrophysicalpropertiesofsemiconductorstructures
AT pokanevichap themercurymicroprobeforinvestigationoflocalelectrophysicalpropertiesofsemiconductorstructures
AT shustovyum themercurymicroprobeforinvestigationoflocalelectrophysicalpropertiesofsemiconductorstructures
AT popovvm rtutnyjmikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvojstvpoluprovodnikovyhstruktur
AT klimenkoas rtutnyjmikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvojstvpoluprovodnikovyhstruktur
AT pokanevichap rtutnyjmikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvojstvpoluprovodnikovyhstruktur
AT shustovyum rtutnyjmikrozonddlâissledovaniâlokalʹnyhélektrofizičeskihsvojstvpoluprovodnikovyhstruktur
AT popovvm mercurymicroprobeforinvestigationoflocalelectrophysicalpropertiesofsemiconductorstructures
AT klimenkoas mercurymicroprobeforinvestigationoflocalelectrophysicalpropertiesofsemiconductorstructures
AT pokanevichap mercurymicroprobeforinvestigationoflocalelectrophysicalpropertiesofsemiconductorstructures
AT shustovyum mercurymicroprobeforinvestigationoflocalelectrophysicalpropertiesofsemiconductorstructures
first_indexed 2025-12-02T15:19:22Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:22Z
_version_ 1850410283581833216

Схожі ресурси