Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра

The brief information about created phototransistor nGaAs–рGaAs–Ag-structure are given. The processes of photogeneration of carriers in the base and in the space-charge layers of semiconductor junction as well as of metal — semiconductor junction are analysed depending on the mode of inclus...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:
эффект усиления тока
фототранзистор
база
барьер
режим модуляции
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.31
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-622
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6222025-11-28T17:21:18Z Multifunctional homojunction gallium arsenide n–p–m-structure Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulkhaev, О. А. Giyasova, F. A. Nazarov, J. T. current amplification effect phototransistor base barrier modulation mode эффект усиления тока фототранзистор база барьер режим модуляции The brief information about created phototransistor nGaAs–рGaAs–Ag-structure are given. The processes of photogeneration of carriers in the base and in the space-charge layers of semiconductor junction as well as of metal — semiconductor junction are analysed depending on the mode of inclusion. It is shown the multifunctionality of offered homojunction structure that is perspective for creating the optical receiver or the optical transformer. Даны краткие сведения о созданной фо­то­тран­зис­тор­ной nGaAs–рGaAs–Ag-струк­ту­ре. Про­ана­ли­зи­ро­ва­ны про­цес­сы фо­то­ге­не­ра­ции но­си­те­лей в ба­зе и в об­лас­тях объем­но­го за­ря­да по­лу­про­вод­ни­ко­во­го и ме­тал­ло­по­лу­про­вод­ни­ко­во­го пе­ре­хо­да в за­ви­си­мос­ти от ре­жи­ма вклю­че­ния. По­ка­за­на мно­го­функ­ци­о­наль­ность пред­ло­жен­ной го­мо­пе­ре­ход­ной струк­ту­ры, пер­спек­тив­ной для соз­да­ния как при­ем­ни­ка, так и транс­фор­ма­то­ра оп­ти­чес­ких сиг­на­лов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-12-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.31 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 31-34 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 31-34 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.31/565 Copyright (c) 2009 Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A., Giyasova F. A., Nazarov J. T. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-28T17:21:18Z
collection OJS
language Ukrainian
topic эффект усиления тока
фототранзистор
база
барьер
режим модуляции
spellingShingle эффект усиления тока
фототранзистор
база
барьер
режим модуляции
Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Abdulkhaev, О. А.
Giyasova, F. A.
Nazarov, J. T.
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра
topic_facet current amplification effect
phototransistor
base
barrier
modulation mode
эффект усиления тока
фототранзистор
база
барьер
режим модуляции
format Article
author Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Abdulkhaev, О. А.
Giyasova, F. A.
Nazarov, J. T.
author_facet Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Abdulkhaev, О. А.
Giyasova, F. A.
Nazarov, J. T.
author_sort Karimov, A. V.
title Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра
title_short Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра
title_full Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра
title_fullStr Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра
title_full_unstemmed Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра
title_sort многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра
title_alt Multifunctional homojunction gallium arsenide n–p–m-structure
description The brief information about created phototransistor nGaAs–рGaAs–Ag-structure are given. The processes of photogeneration of carriers in the base and in the space-charge layers of semiconductor junction as well as of metal — semiconductor junction are analysed depending on the mode of inclusion. It is shown the multifunctionality of offered homojunction structure that is perspective for creating the optical receiver or the optical transformer.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.31
work_keys_str_mv AT karimovav multifunctionalhomojunctiongalliumarsenidenpmstructure
AT yodgorovadm multifunctionalhomojunctiongalliumarsenidenpmstructure
AT abdulkhaevoa multifunctionalhomojunctiongalliumarsenidenpmstructure
AT giyasovafa multifunctionalhomojunctiongalliumarsenidenpmstructure
AT nazarovjt multifunctionalhomojunctiongalliumarsenidenpmstructure
AT karimovav mnogofunkcionalʹnaâgomoperehodnaâarsenidgallievaânpmstruktura
AT yodgorovadm mnogofunkcionalʹnaâgomoperehodnaâarsenidgallievaânpmstruktura
AT abdulkhaevoa mnogofunkcionalʹnaâgomoperehodnaâarsenidgallievaânpmstruktura
AT giyasovafa mnogofunkcionalʹnaâgomoperehodnaâarsenidgallievaânpmstruktura
AT nazarovjt mnogofunkcionalʹnaâgomoperehodnaâarsenidgallievaânpmstruktura
first_indexed 2025-12-02T15:19:24Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:24Z
_version_ 1850410285856194560

Ähnliche Einträge