Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
The brief information about created phototransistor nGaAs–рGaAs–Ag-structure are given. The processes of photogeneration of carriers in the base and in the space-charge layers of semiconductor junction as well as of metal — semiconductor junction are analysed depending on the mode of inclus...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.31 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Yodgorova, D. М.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yodgorova, D. М.
Опубліковано: (2006)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
за авторством: Rodionov, I. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Rodionov, I. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Доцільність проведення досудового слідства прокуратурою
за авторством: Куруц, В.М.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Куруц, В.М.
Опубліковано: (2012)
Линии задержки в J-корреляционном методе пеленгации
за авторством: Sorochan, A. G.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Sorochan, A. G.
Опубліковано: (2004)
Многофункциональная аппаратура передачи и приема данных З-501
за авторством: Куценко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Куценко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
Многофункциональная аппаратура передачи и приема данных З-501
за авторством: Kutsenko, V. N., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kutsenko, V. N., та інші
Опубліковано: (2004)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)
Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)
Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2004)
Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
за авторством: Гончарук, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Гончарук, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Тонкая временная струкnура молний на Cатурне
за авторством: Милостная, К.Ю., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Милостная, К.Ю., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
МЕТОД ПРИНЯТИЯ РЕШЕНИЙ ПО УПРАВЛЕНИЮ СЕТЬЮ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ
за авторством: Жуйков, В.Я., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Жуйков, В.Я., та інші
Опубліковано: (2014)
Классификация пленочных систем для промышленной радиографии (новые национальные стандарты)
за авторством: Белый, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Белый, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2003)
Подготовка и аттестация специалистов и разработка нормативной базы в направлении деятельности «Техническая диагностика сварных конструкций»
за авторством: Грузд, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Грузд, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Радиодальномер на основе J-корреляционного метода обработки сигнала
за авторством: Sorochan, A. G.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sorochan, A. G.
Опубліковано: (2005)
Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)
ПРИМЕНЕНИЕ КОМПЕНСАЦИОННОГО МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЯ ФАЗОВОГО СДВИГА В ЛАЗЕРНЫХ ДАЛЬНОМЕРАХ
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
за авторством: Терлецкая, Л.Л., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Терлецкая, Л.Л., та інші
Опубліковано: (2003)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Відновлення працездатності радіоелектронних пристроїв шляхом реінжинірингу
за авторством: Lavrych, Yurii, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Lavrych, Yurii, та інші
Опубліковано: (2023)
Автоматизация процесса диагностики РЭА на основе метода эвристической классификации
за авторством: Trofimov, V. Ye.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Trofimov, V. Ye.
Опубліковано: (2004)
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА В ФЕРРОМАГНЕТИКЕ ПРИ СИНУСОИДАЛЬНОМ МАГНИТНОМ ПОТОКЕ
за авторством: Петухов, И.С.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Петухов, И.С.
Опубліковано: (2013)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Bodnaruk, O. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bodnaruk, O. A., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Forsh, P. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Forsh, P. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Партійна позаідеологічність в Україні як відображення лобістської політичної культури та політичної активності
за авторством: Постол, О.Є.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Постол, О.Є.
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009) -
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010) -
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015) -
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)