Влияние термического окисления на ани­зо­тро­пию элек­тро­про­вод­нос­ти и фо­то­про­во­ди­мос­ти на­но­струк­ту­ри­ро­ван­но­го крем­ния

Влияние термического окисления на ани­зо­тро­пию элек­тро­про­вод­нос­ти и фо­то­про­во­ди­мос­ти на­но­струк­ту­ри­ро­ван­но­го крем­ния

An effect of thermal oxidation on the conductivity of porous silicon layers prepared by electrochemical etching of single-crystal silicon wafers with (110) orientation of the surface are investigated. The thermal oxidation is found to influence on the conductivity of porous silicon measured along va...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Forsh, P. A., Forsh, Е. А., Martyshov, M. N., Timoshenko, V. Yu., Kashkarov, P. K.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:
пористый кремний
электропроводность
анизотропия
термическое окисление
потенциальные барьеры
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.35
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-623
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6232025-11-28T17:21:18Z Effect of thermal annealing on an anisotropy of electroconductivity and photoconductivity of nanostructured silicon Влияние термического окисления на ани­зо­тро­пию элек­тро­про­вод­нос­ти и фо­то­про­во­ди­мос­ти на­но­струк­ту­ри­ро­ван­но­го крем­ния Forsh, P. A. Forsh, Е. А. Martyshov, M. N. Timoshenko, V. Yu. Kashkarov, P. K. porous silicon electrical conductivity anisotropy thermal oxidation potential barriers пористый кремний электропроводность анизотропия термическое окисление потенциальные барьеры An effect of thermal oxidation on the conductivity of porous silicon layers prepared by electrochemical etching of single-crystal silicon wafers with (110) orientation of the surface are investigated. The thermal oxidation is found to influence on the conductivity of porous silicon measured along various crystal directions in different ways. The obtained results are explained by the model of charge carriers transfer considering the presence of potential barriers on the boundaries of connecting silicon nanocrystals. Исследовано влияние термического окисления на про­во­ди­мость сло­ев по­ри­сто­го крем­ния, по­лу­чен­но­го трав­ле­ни­ем плас­тин мо­но­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния с ори­ен­та­ци­ей по­верх­нос­ти (110). Об­на­ру­же­но, что тер­ми­чес­кое окис­ле­ние ока­зы­ва­ет раз­лич­ное вли­яние на про­во­ди­мость сло­ев по­рис­то­го крем­ния, из­ме­ря­е­мую вдоль раз­лич­ных крис­тал­ло­гра­фи­чес­ких на­прав­ле­ний. По­лу­чен­ные ре­зуль­та­ты объяс­не­ны на ос­но­ве мо­де­ли пе­ре­но­са но­си­те­лей за­ря­да, учи­ты­ваю­щей на­ли­чие по­тен­ци­аль­ных ба­рье­ров на гра­ни­цах свя­зан­ных крем­ни­е­вых на­но­крис­тал­лов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-12-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.35 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 35-37 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 35-37 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.35/566 Copyright (c) 2009 Forsh P. A., Forsh E. A., Martyshov M. N., Timoshenko V. Yu., Kashkarov P. K. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-28T17:21:18Z
collection OJS
language Ukrainian
topic пористый кремний
электропроводность
анизотропия
термическое окисление
потенциальные барьеры
spellingShingle пористый кремний
электропроводность
анизотропия
термическое окисление
потенциальные барьеры
Forsh, P. A.
Forsh, Е. А.
Martyshov, M. N.
Timoshenko, V. Yu.
Kashkarov, P. K.
Влияние термического окисления на ани­зо­тро­пию элек­тро­про­вод­нос­ти и фо­то­про­во­ди­мос­ти на­но­струк­ту­ри­ро­ван­но­го крем­ния
topic_facet porous silicon
electrical conductivity
anisotropy
thermal oxidation
potential barriers
пористый кремний
электропроводность
анизотропия
термическое окисление
потенциальные барьеры
format Article
author Forsh, P. A.
Forsh, Е. А.
Martyshov, M. N.
Timoshenko, V. Yu.
Kashkarov, P. K.
author_facet Forsh, P. A.
Forsh, Е. А.
Martyshov, M. N.
Timoshenko, V. Yu.
Kashkarov, P. K.
author_sort Forsh, P. A.
title Влияние термического окисления на ани­зо­тро­пию элек­тро­про­вод­нос­ти и фо­то­про­во­ди­мос­ти на­но­струк­ту­ри­ро­ван­но­го крем­ния
title_short Влияние термического окисления на ани­зо­тро­пию элек­тро­про­вод­нос­ти и фо­то­про­во­ди­мос­ти на­но­струк­ту­ри­ро­ван­но­го крем­ния
title_full Влияние термического окисления на ани­зо­тро­пию элек­тро­про­вод­нос­ти и фо­то­про­во­ди­мос­ти на­но­струк­ту­ри­ро­ван­но­го крем­ния
title_fullStr Влияние термического окисления на ани­зо­тро­пию элек­тро­про­вод­нос­ти и фо­то­про­во­ди­мос­ти на­но­струк­ту­ри­ро­ван­но­го крем­ния
title_full_unstemmed Влияние термического окисления на ани­зо­тро­пию элек­тро­про­вод­нос­ти и фо­то­про­во­ди­мос­ти на­но­струк­ту­ри­ро­ван­но­го крем­ния
title_sort влияние термического окисления на ани­зо­тро­пию элек­тро­про­вод­нос­ти и фо­то­про­во­ди­мос­ти на­но­струк­ту­ри­ро­ван­но­го крем­ния
title_alt Effect of thermal annealing on an anisotropy of electroconductivity and photoconductivity of nanostructured silicon
description An effect of thermal oxidation on the conductivity of porous silicon layers prepared by electrochemical etching of single-crystal silicon wafers with (110) orientation of the surface are investigated. The thermal oxidation is found to influence on the conductivity of porous silicon measured along various crystal directions in different ways. The obtained results are explained by the model of charge carriers transfer considering the presence of potential barriers on the boundaries of connecting silicon nanocrystals.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.35
work_keys_str_mv AT forshpa effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT forshea effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT martyshovmn effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT timoshenkovyu effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT kashkarovpk effectofthermalannealingonananisotropyofelectroconductivityandphotoconductivityofnanostructuredsilicon
AT forshpa vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT forshea vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT martyshovmn vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT timoshenkovyu vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
AT kashkarovpk vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
first_indexed 2025-12-02T15:19:24Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:24Z
_version_ 1850410286106804224

Схожі ресурси