Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та

The investigation of deposition kinetics of in-situ phosphorus doped polysilicon films has been performed. The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped polysilicon deposition has been developed. The values of heterogeneous reaction constants and constants, which describe the desorption p...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Nalivaiko, O. Yu., Turtsevich, A. S.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:
поликристаллический кремний
осаждение
адсорбционно-кинетическая модель
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.50
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-627
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6272025-11-28T17:21:18Z The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped film polysilicon deposition process Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та Nalivaiko, O. Yu. Turtsevich, A. S. poly-crystalline silicon precipitation adsorption kinetic model поликристаллический кремний осаждение адсорбционно-кинетическая модель The investigation of deposition kinetics of in-situ phosphorus doped polysilicon films has been performed. The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped polysilicon deposition has been developed. The values of heterogeneous reaction constants and constants, which describe the desorption process for monosilane and phosphine, have been defined. The optimal process conditions, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, high doping level and conformal step coverage, have been founded. Проведено исследование кинетики осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных в про­цес­се рос­та фос­фо­ром (ПКЛФ). Раз­ра­бо­та­на ад­сорб­ци­он­но-ки­не­ти­чес­кая мо­дель про­цес­са осаж­де­ния ПКЛФ с ис­поль­зо­ва­ни­ем кон­цен­три­ро­ван­но­го мо­но­си­ла­на. Оп­ре­де­ле­ны зна­че­ния кон­стант ге­те­ро­ген­ной ре­ак­ции, а так­же кон­стант, ха­рак­те­ри­зу­ю­щих про­цесс ад­сорб­ции мо­но­си­ла­на и фос­фи­на. Оп­ре­де­ле­на об­ласть оп­ти­маль­ных со­от­но­ше­ний по­то­ков PH3/SiH4 и тем­пе­ра­ту­ры, при ко­то­рых обес­пе­чи­ва­ют­ся при­ем­ле­мая ско­рость и од­но­род­ность осаж­де­ния, вы­со­кий уро­вень ле­ги­ро­ва­ния и кон­форм­ное за­пол­не­ние то­по­ло­ги­чес­ко­го ре­лье­фа плен­ка­ми ПКЛФ. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-12-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.50 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 50-55 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 50-55 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.50/570 Copyright (c) 2009 Nalivaiko O. Yu., Turtsevich A. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-28T17:21:18Z
collection OJS
language Ukrainian
topic поликристаллический кремний
осаждение
адсорбционно-кинетическая модель
spellingShingle поликристаллический кремний
осаждение
адсорбционно-кинетическая модель
Nalivaiko, O. Yu.
Turtsevich, A. S.
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та
topic_facet poly-crystalline silicon
precipitation
adsorption kinetic model
поликристаллический кремний
осаждение
адсорбционно-кинетическая модель
format Article
author Nalivaiko, O. Yu.
Turtsevich, A. S.
author_facet Nalivaiko, O. Yu.
Turtsevich, A. S.
author_sort Nalivaiko, O. Yu.
title Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та
title_short Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та
title_full Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та
title_fullStr Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та
title_full_unstemmed Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та
title_sort адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та
title_alt The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped film polysilicon deposition process
description The investigation of deposition kinetics of in-situ phosphorus doped polysilicon films has been performed. The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped polysilicon deposition has been developed. The values of heterogeneous reaction constants and constants, which describe the desorption process for monosilane and phosphine, have been defined. The optimal process conditions, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, high doping level and conformal step coverage, have been founded.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.50
work_keys_str_mv AT nalivaikooyu theadsorptivekineticmodelofinsituphosphorusdopedfilmpolysilicondepositionprocess
AT turtsevichas theadsorptivekineticmodelofinsituphosphorusdopedfilmpolysilicondepositionprocess
AT nalivaikooyu adsorbcionnokinetičeskaâmodelʹosaždeniâplenokpolikristalličeskogokremniâlegirovannyhfosforomvprocesserosta
AT turtsevichas adsorbcionnokinetičeskaâmodelʹosaždeniâplenokpolikristalličeskogokremniâlegirovannyhfosforomvprocesserosta
AT nalivaikooyu adsorptivekineticmodelofinsituphosphorusdopedfilmpolysilicondepositionprocess
AT turtsevichas adsorptivekineticmodelofinsituphosphorusdopedfilmpolysilicondepositionprocess
first_indexed 2025-12-02T15:19:25Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:25Z
_version_ 1850410286772649984

Схожі ресурси