Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пле­нок по­ли­крис­тал­ли­чес­ко­го крем­ния, ле­ги­ро­ван­ных фос­фо­ром в про­цес­се рос­та

The investigation of deposition kinetics of in-situ phosphorus doped polysilicon films has been performed. The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped polysilicon deposition has been developed. The values of heterogeneous reaction constants and constants, which describe the desorption p...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Nalivaiko, O. Yu., Turtsevich, A. S.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.50
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment