Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
Examples of device elements for microsystems, developed on local three-dimensional structure, are shown. The application area of compact EKV models of the MOS-transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristic...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.20 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-635 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-6352025-11-30T21:27:53Z Development of the circuit and layout of elements of an operated field emission silicon microcathodes matrix Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов Druzhinin, А. A. Holota, V. I. Kogut, I. T. Khoverko, Ju. M. SOI structure SOI MOSFETs test structure topology field emission microcathode control circuit КНИ-структуры КНИ МОП-транзисторы тестовая структура топология автоэмиссионные микрокатоды схема управления Examples of device elements for microsystems, developed on local three-dimensional structure, are shown. The application area of compact EKV models of the MOS-transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristics of the SOI MOS-transistor, in which the under channel area is connected to a source, have been compared. The control circuits of the silicon microcathode, providing linear change of field emission currents at the fixed voltage on electrodes have been developed. The layout of the microcathode, integrated with the control circuit, which can be multiplicated into large size matrixes have been designed. Показаны примеры приборных элементов для микросистемных приложений, сформированных на локальной трехмерной КНИ-структуре. Установлена область применения компактной EKV-модели МОП-транзистора для рассчета характеристик КНИ МОП-транзисторов. Сравниваются расчетные и экспериментальные выходные характеристики КНИ МОП-транзистора, в котором подканальная область соединена с истоком. Разработана схема управления кремниевым микрокатодом, обеспечивающая линейное изменение автоэмиссионных токов при фиксированном напряжении на электродах. Разработана топология микрокатода, интегрированного со схемой управления, которую можно мультиплицировать в матрицы больших размеров. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.20 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 20-25 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 20-25 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.20/576 Copyright (c) 2009 Druzhinin А. A., Holota V. I., Kogut I. T., Khoverko Ju. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-11-30T21:27:53Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
КНИ-структуры КНИ МОП-транзисторы тестовая структура топология автоэмиссионные микрокатоды схема управления |
| spellingShingle |
КНИ-структуры КНИ МОП-транзисторы тестовая структура топология автоэмиссионные микрокатоды схема управления Druzhinin, А. A. Holota, V. I. Kogut, I. T. Khoverko, Ju. M. Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| topic_facet |
SOI structure SOI MOSFETs test structure topology field emission microcathode control circuit КНИ-структуры КНИ МОП-транзисторы тестовая структура топология автоэмиссионные микрокатоды схема управления |
| format |
Article |
| author |
Druzhinin, А. A. Holota, V. I. Kogut, I. T. Khoverko, Ju. M. |
| author_facet |
Druzhinin, А. A. Holota, V. I. Kogut, I. T. Khoverko, Ju. M. |
| author_sort |
Druzhinin, А. A. |
| title |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_short |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_full |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_fullStr |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_full_unstemmed |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_sort |
разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
| title_alt |
Development of the circuit and layout of elements of an operated field emission silicon microcathodes matrix |
| description |
Examples of device elements for microsystems, developed on local three-dimensional structure, are shown. The application area of compact EKV models of the MOS-transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristics of the SOI MOS-transistor, in which the under channel area is connected to a source, have been compared. The control circuits of the silicon microcathode, providing linear change of field emission currents at the fixed voltage on electrodes have been developed. The layout of the microcathode, integrated with the control circuit, which can be multiplicated into large size matrixes have been designed. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2009 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.20 |
| work_keys_str_mv |
AT druzhininaa developmentofthecircuitandlayoutofelementsofanoperatedfieldemissionsiliconmicrocathodesmatrix AT holotavi developmentofthecircuitandlayoutofelementsofanoperatedfieldemissionsiliconmicrocathodesmatrix AT kogutit developmentofthecircuitandlayoutofelementsofanoperatedfieldemissionsiliconmicrocathodesmatrix AT khoverkojum developmentofthecircuitandlayoutofelementsofanoperatedfieldemissionsiliconmicrocathodesmatrix AT druzhininaa razrabotkashemyitopologiiélementovmatricyupravlâemyhavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT holotavi razrabotkashemyitopologiiélementovmatricyupravlâemyhavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT kogutit razrabotkashemyitopologiiélementovmatricyupravlâemyhavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov AT khoverkojum razrabotkashemyitopologiiélementovmatricyupravlâemyhavtoémissionnyhkremnievyhmikrokatodov |
| first_indexed |
2025-12-02T15:19:26Z |
| last_indexed |
2025-12-02T15:19:26Z |
| _version_ |
1850410287775088640 |