Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
Examples of device elements for microsystems, developed on local three-dimensional structure, are shown. The application area of compact EKV models of the MOS-transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristic...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | Druzhinin, А. A., Holota, V. I., Kogut, I. T., Khoverko, Ju. M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.20 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2009) -
Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
за авторством: Druzhynin, А. A., та інші
Опубліковано: (2009) -
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2014) -
Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008) -
Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Khoverko, Yu. N.
Опубліковано: (2010)