Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

It is shown that capacitance–voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring АС voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amp...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:
арсенид галлия
эпитаксиальная структура
барьер Шоттки
вольт-фарадная характеристика
глубокие центры захвата
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.25
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-636
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6362025-11-30T21:27:12Z Capacitance-voltage measurements in GaAs thin-film epitaxial structures Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. gallium arsenide epitaxial structure Schottky barrier current-voltage characteristics deep trapping centers арсенид галлия эпитаксиальная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры захвата It is shown that capacitance–voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring АС voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amplitudes. This conclusion is confirmed by the results of numerical calculation of the apparent capacitance of GaAs epitaxial structures. По­ка­за­но, что вольт-фа­рад­ные ха­рак­те­рис­ти­ки, име­ю­щие уча­стки кру­то­го па­де­ния, в част­нос­ти вольт-фа­рад­ные ха­рак­те­ри­сти­ки тон­ко­пле­ноч­ных струк­тур GaAs, мо­гут быть из­ме­ре­ны при уме­рен­но ма­лых ам­пли­ту­дах пе­ре­мен­но­го на­пря­же­ния (по­ряд­ка 100 мВ) за счет про­ве­де­ния из­ме­ре­ний на двух раз­лич­ных ам­пли­ту­дах. Дан­ный вы­вод под­твер­ж­ден ре­зуль­та­та­ми чис­лен­но­го рас­че­та ка­жу­щей­ся ем­кос­ти эпи­так­си­а­ль­ных струк­тур GaAs. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.25 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 25-28 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 25-28 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.25/577 Copyright (c) 2009 Gorev N. B., Kodzhespirova I. F., Privalov E. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-30T21:27:12Z
collection OJS
language Ukrainian
topic арсенид галлия
эпитаксиальная структура
барьер Шоттки
вольт-фарадная характеристика
глубокие центры захвата
spellingShingle арсенид галлия
эпитаксиальная структура
барьер Шоттки
вольт-фарадная характеристика
глубокие центры захвата
Gorev, N. B.
Kodzhespirova, I. F.
Privalov, E. N.
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
topic_facet gallium arsenide
epitaxial structure
Schottky barrier
current-voltage characteristics
deep trapping centers
арсенид галлия
эпитаксиальная структура
барьер Шоттки
вольт-фарадная характеристика
глубокие центры захвата
format Article
author Gorev, N. B.
Kodzhespirova, I. F.
Privalov, E. N.
author_facet Gorev, N. B.
Kodzhespirova, I. F.
Privalov, E. N.
author_sort Gorev, N. B.
title Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
title_short Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
title_full Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
title_fullStr Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
title_full_unstemmed Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
title_sort вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах gaas
title_alt Capacitance-voltage measurements in GaAs thin-film epitaxial structures
description It is shown that capacitance–voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring АС voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amplitudes. This conclusion is confirmed by the results of numerical calculation of the apparent capacitance of GaAs epitaxial structures.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.25
work_keys_str_mv AT gorevnb capacitancevoltagemeasurementsingaasthinfilmepitaxialstructures
AT kodzhespirovaif capacitancevoltagemeasurementsingaasthinfilmepitaxialstructures
AT privaloven capacitancevoltagemeasurementsingaasthinfilmepitaxialstructures
AT gorevnb volʹtfaradnyeizmereniâvtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas
AT kodzhespirovaif volʹtfaradnyeizmereniâvtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas
AT privaloven volʹtfaradnyeizmereniâvtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas
first_indexed 2025-12-02T15:19:26Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:26Z
_version_ 1850410288019406848

Схожі ресурси