Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
It is shown that capacitance–voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring АС voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amp...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.25 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
за авторством: Iermolenko, Ia. O.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Iermolenko, Ia. O.
Опубліковано: (2014)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Boiko, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Boiko, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Вольт-амперні характеристики HPHT алмазів, вирощених при варіації складу ростових систем
за авторством: Чаплинський, Роман, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Чаплинський, Роман, та інші
Опубліковано: (2023)
Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)
РОЗРАХУНОК ВОЛЬТ-АМПЕРНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ ШУНТУВАЛЬНОГО РЕАКТОРА З ПРОМІЖКАМИ В СТРИЖНІ
за авторством: Іванков, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Іванков, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
Харьковский государственный технический университет радиоэлектроники
Опубліковано: (1998)
Опубліковано: (1998)
Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
за авторством: Ермоленко, Е.А.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ермоленко, Е.А.
Опубліковано: (2014)
НЕМОНОТОННОСТЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДУГОВОГО РАЗРЯДА, ОБУСЛОВЛЕННАЯ ЭФФЕКТАМИ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ
за авторством: Жовтянский, В.А., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Жовтянский, В.А., та інші
Опубліковано: (2019)
Реализация волноводных сенсоров на тонкопленочных структурах нанопористый анодный оксид алюминия – алюминий
за авторством: Лебедева, Т.С., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Лебедева, Т.С., та інші
Опубліковано: (2015)
Возникновение резонансных эффектов в многослойных тонкопленочных структурах с высокой пространственной дисперсией
за авторством: Онищук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Онищук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)
Установка автоматического контроля топологии фотошаблонов ЭМ-602ЭАМ
Опубліковано: (1998)
Опубліковано: (1998)
Многоканальный лазерный генератор изображений ЭМ-5089В
Опубліковано: (1998)
Опубліковано: (1998)
Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ
Опубліковано: (1999)
Опубліковано: (1999)
Современное сборочное оборудование для микроэлектроники из Беларуси
Опубліковано: (1998)
Опубліковано: (1998)
Многоканальный лазерный генератор изображений ЭМ-5299Б
Опубліковано: (1998)
Опубліковано: (1998)
Установка предварительной настройки кварцевых резонаторов ЭМ-6310
за авторством: Сасин, М.К., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Сасин, М.К., та інші
Опубліковано: (1999)
Широкоформатная система экспонирования ЭМ-5034
Опубліковано: (1999)
Опубліковано: (1999)
Микроскоп МКИ-2М
Опубліковано: (1999)
Опубліковано: (1999)
КБТЭМ-ОМО - современный центр проектирования и производства оптико-механического и контрольно-измерительного оборудования
Опубліковано: (1998)
Опубліковано: (1998)
Львовское Научно-производственное предприятие "Карат"
Опубліковано: (1998)
Опубліковано: (1998)
ГНПП «КБТЭМ-СО» — официальный дилер немецкого филиала фирмы SМС в Республике Беларусь
за авторством: Волков, А.С.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Волков, А.С.
Опубліковано: (1999)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010) -
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008) -
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007) -
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006) -
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)