Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
• Schlagworte: арсенид галлия; эпитаксиальная структура; барьер Шоттки; вольт-фарадная характеристика; глубокие центры захвата
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.25
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

It is shown that capacitance–voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring АС voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amp...