Buchumschlag

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

It is shown that capacitance–voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring АС voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amp...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:	арсенид галлия эпитаксиальная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры захвата
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.25
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
von: Iermolenko, Ia. O.
Veröffentlicht: (2014)

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
von: Boiko, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
von: Ермоленко , Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
von: Ермоленко , Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

РОЗРАХУНОК ВОЛЬТ-АМПЕРНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ ШУНТУВАЛЬНОГО РЕАКТОРА З ПРОМІЖКАМИ В СТРИЖНІ
von: Іванков, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)

РОЗРАХУНОК ВОЛЬТ-АМПЕРНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ ШУНТУВАЛЬНОГО РЕАКТОРА З ПРОМІЖКАМИ В СТРИЖНІ
von: Іванков, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Зміни характеристик кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячних батарей після струмових перевантажень
von: Ivanchenko, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Дослiдження характеристик кремнiєвих фотоелектричних перетворювачiв сонячних батарей при перегрiві
von: Ivanchenko, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
von: Berishvili, Z. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
von: Terletskaya, L. L., et al.
Veröffentlicht: (2003)

У истоков сверхмалошумящей техники СВЧ
von: Chmil, V. M.
Veröffentlicht: (2003)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

НЕМОНОТОННОСТЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДУГОВОГО РАЗРЯДА, ОБУСЛОВЛЕННАЯ ЭФФЕКТАМИ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ
von: Жовтянский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)

НЕМОНОТОННОСТЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДУГОВОГО РАЗРЯДА, ОБУСЛОВЛЕННАЯ ЭФФЕКТАМИ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ
von: Жовтянский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
von: Tonkoshkur, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Anufriev, L. P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
von: Mamedov, A. K.
Veröffentlicht: (2003)

Вольт-амперні характеристики HPHT алмазів, вирощених при варіації складу ростових систем
von: Чаплинський, Роман, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ
von: Izhnin, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
von: Lyashkov, A. Yu.
Veröffentlicht: (2018)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Jafarova, E. A.
Veröffentlicht: (2006)