Зображення обкладинки

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

It is shown that capacitance–voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring АС voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amp...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Автори:	Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:	арсенид галлия эпитаксиальная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры захвата
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.25
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
за авторством: Iermolenko, Ia. O.
Опубліковано: (2014)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Boiko, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2007)

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)

РОЗРАХУНОК ВОЛЬТ-АМПЕРНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ ШУНТУВАЛЬНОГО РЕАКТОРА З ПРОМІЖКАМИ В СТРИЖНІ
за авторством: Іванков, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)

Зміни характеристик кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячних батарей після струмових перевантажень
за авторством: Ivanchenko, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)

Дослiдження характеристик кремнiєвих фотоелектричних перетворювачiв сонячних батарей при перегрiві
за авторством: Ivanchenko, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

НЕМОНОТОННОСТЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДУГОВОГО РАЗРЯДА, ОБУСЛОВЛЕННАЯ ЭФФЕКТАМИ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ
за авторством: Жовтянский, В.А., та інші
Опубліковано: (2019)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Anufriev, L. P., та інші
Опубліковано: (2005)

Вольт-амперні характеристики HPHT алмазів, вирощених при варіації складу ростових систем
за авторством: Чаплинський, Роман, та інші
Опубліковано: (2023)

Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
за авторством: Lyashkov, A. Yu.
Опубліковано: (2018)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ
за авторством: Izhnin, I. I., та інші
Опубліковано: (2005)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)

Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу
за авторством: Kshevetskyi, Oleg, та інші
Опубліковано: (2025)

Харьковский государственный технический университет радиоэлектроники
Опубліковано: (1998)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Yermolenko, Ye. O., та інші
Опубліковано: (2012)

Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ
Опубліковано: (1999)

Установка автоматического контроля топологии фотошаблонов ЭМ-602ЭАМ
Опубліковано: (1998)

КБТЭМ-ОМО - современный центр проектирования и производства оптико-механического и контрольно-измерительного оборудования
Опубліковано: (1998)