Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
It is shown that capacitance–voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring АС voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amp...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.25 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2004)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
за авторством: Iermolenko, Ia. O.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Iermolenko, Ia. O.
Опубліковано: (2014)
Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Boiko, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Boiko, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)
Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
за авторством: Berishvili, Z. V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Berishvili, Z. V., та інші
Опубліковано: (2004)
У истоков сверхмалошумящей техники СВЧ
за авторством: Chmil, V. M.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Chmil, V. M.
Опубліковано: (2003)
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
за авторством: Terletskaya, L. L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Terletskaya, L. L., та інші
Опубліковано: (2003)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ АДАПТИВНОГО СПОСОБА ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ермоленко , Е.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Anufriev, L. P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Anufriev, L. P., та інші
Опубліковано: (2005)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
за авторством: Mamedov, A. K.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Mamedov, A. K.
Опубліковано: (2003)
Вольт-амперні характеристики HPHT алмазів, вирощених при варіації складу ростових систем
за авторством: Чаплинський, Роман, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Чаплинський, Роман, та інші
Опубліковано: (2023)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ
за авторством: Izhnin, I. I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Izhnin, I. I., та інші
Опубліковано: (2005)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)
Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si
за авторством: Iskender-zade, Z. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Iskender-zade, Z. A., та інші
Опубліковано: (2004)
Харьковский государственный технический университет радиоэлектроники
Опубліковано: (1998)
Опубліковано: (1998)
РОЗРАХУНОК ВОЛЬТ-АМПЕРНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ ШУНТУВАЛЬНОГО РЕАКТОРА З ПРОМІЖКАМИ В СТРИЖНІ
за авторством: Іванков, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Іванков, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
РОЗРАХУНОК ВОЛЬТ-АМПЕРНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ ШУНТУВАЛЬНОГО РЕАКТОРА З ПРОМІЖКАМИ В СТРИЖНІ
за авторством: Іванков, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Іванков, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
Классификация методов измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
за авторством: Ермоленко, Е.А.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ермоленко, Е.А.
Опубліковано: (2014)
Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ
Опубліковано: (1999)
Опубліковано: (1999)
Установка автоматического контроля топологии фотошаблонов ЭМ-602ЭАМ
Опубліковано: (1998)
Опубліковано: (1998)