Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
Some aspects of measurement of I–V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I–V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for d...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.32 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| Zusammenfassung: | Some aspects of measurement of I–V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I–V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p–n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use DU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.Рассмотрены особенности измерения вольт-амперных характеристик импульсных лавинно-пролетных диодов (ЛПД). Определены основные параметры ВАХ импульсных ЛПД: плотность критического тока, скачок напряжения на участке отрицательного дифференциального сопротивления, напряжение лавинного пробоя. Приведен способ определения температурного сопротивления участка «p–n-переход—корпус», необходимого для расчета режима работы ЛПД, показана возможность прогнозирования ранних отказов ЛПД. |
|---|