Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
Some aspects of measurement of I–V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I–V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for d...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.32 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543909926141952 |
|---|---|
| author | Kudryk, Ya. Ya. |
| author_facet | Kudryk, Ya. Ya. |
| author_sort | Kudryk, Ya. Ya. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-11-30T21:26:13Z |
| description | Some aspects of measurement of I–V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I–V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p–n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use DU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.Рассмотрены особенности измерения вольт-амперных характеристик импульсных лавинно-пролетных диодов (ЛПД). Определены основные параметры ВАХ импульсных ЛПД: плотность критического тока, скачок напряжения на участке отрицательного дифференциального сопротивления, напряжение лавинного пробоя. Приведен способ определения температурного сопротивления участка «p–n-переход—корпус», необходимого для расчета режима работы ЛПД, показана возможность прогнозирования ранних отказов ЛПД. |
| first_indexed | 2025-12-02T15:19:27Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-639 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-02T15:19:27Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-6392025-11-30T21:26:13Z The measurements of pulsed I–V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя Kudryk, Ya. Ya. avalanche diode pulsed current-voltage characteristics reliability лавинно-пролетный диод импульсная ВАХ надежность Some aspects of measurement of I–V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I–V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p–n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use DU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.Рассмотрены особенности измерения вольт-амперных характеристик импульсных лавинно-пролетных диодов (ЛПД). Определены основные параметры ВАХ импульсных ЛПД: плотность критического тока, скачок напряжения на участке отрицательного дифференциального сопротивления, напряжение лавинного пробоя. Приведен способ определения температурного сопротивления участка «p–n-переход—корпус», необходимого для расчета режима работы ЛПД, показана возможность прогнозирования ранних отказов ЛПД. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.32 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 32-33 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 32-33 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.32/580 Copyright (c) 2009 Kudryk Ya. Ya. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | лавинно-пролетный диод импульсная ВАХ надежность Kudryk, Ya. Ya. Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя |
| title | Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя |
| title_alt | The measurements of pulsed I–V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region |
| title_full | Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя |
| title_fullStr | Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя |
| title_full_unstemmed | Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя |
| title_short | Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя |
| title_sort | измерения вах импульсных кремниевых лпд на участке лавинного пробоя |
| topic | лавинно-пролетный диод импульсная ВАХ надежность |
| topic_facet | avalanche diode pulsed current-voltage characteristics reliability лавинно-пролетный диод импульсная ВАХ надежность |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.32 |
| work_keys_str_mv | AT kudrykyaya themeasurementsofpulsedivcurvesforsiliconimpattdiodesintheavalanchebreakdownregion AT kudrykyaya izmereniâvahimpulʹsnyhkremnievyhlpdnaučastkelavinnogoproboâ AT kudrykyaya measurementsofpulsedivcurvesforsiliconimpattdiodesintheavalanchebreakdownregion |