Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя

Some aspects of measurement of I–V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I–V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for d...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автор: Kudryk, Ya. Ya.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.32
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-639
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6392025-11-30T21:26:13Z The measurements of pulsed I–V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя Kudryk, Ya. Ya. avalanche diode pulsed current-voltage characteristics reliability лавинно-пролетный диод импульсная ВАХ надежность Some aspects of measurement of I–V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I–V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p–n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use DU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.Рас­смот­ре­ны осо­бен­но­сти из­ме­ре­ния вольт-ам­пер­ных ха­рак­те­рис­тик им­пуль­сных ла­вин­но-про­лет­ных ди­о­дов (ЛПД). Оп­ре­де­ле­ны ос­нов­ные па­ра­мет­ры ВАХ им­пульс­ных ЛПД: плот­ность кри­ти­че­ско­го то­ка, ска­чок на­пря­же­ния на уча­стке от­ри­ца­тель­но­го диф­фе­рен­ци­а­ль­но­го со­про­ти­вле­ния, на­пря­же­ние ла­вин­но­го про­боя. При­ве­ден спо­соб оп­ре­де­ле­ния тем­пе­ра­тур­но­го со­про­тив­ле­ния уча­ст­ка «p–n-пе­ре­ход—ко­р­пус», не­об­хо­ди­мо­го для рас­че­та ре­жи­ма ра­бо­ты ЛПД, по­ка­за­на воз­мож­ность про­г­но­зи­ро­ва­ния ран­них от­ка­зов ЛПД. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.32 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 32-33 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 32-33 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.32/580 Copyright (c) 2009 Kudryk Ya. Ya. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-30T21:26:13Z
collection OJS
language Ukrainian
topic лавинно-пролетный диод
импульсная ВАХ
надежность
spellingShingle лавинно-пролетный диод
импульсная ВАХ
надежность
Kudryk, Ya. Ya.
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
topic_facet avalanche diode
pulsed current-voltage characteristics
reliability
лавинно-пролетный диод
импульсная ВАХ
надежность
format Article
author Kudryk, Ya. Ya.
author_facet Kudryk, Ya. Ya.
author_sort Kudryk, Ya. Ya.
title Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_short Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_full Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_fullStr Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_full_unstemmed Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
title_sort измерения вах импульсных кремниевых лпд на участке лавинного пробоя
title_alt The measurements of pulsed I–V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region
description Some aspects of measurement of I–V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I–V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p–n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use DU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.Рас­смот­ре­ны осо­бен­но­сти из­ме­ре­ния вольт-ам­пер­ных ха­рак­те­рис­тик им­пуль­сных ла­вин­но-про­лет­ных ди­о­дов (ЛПД). Оп­ре­де­ле­ны ос­нов­ные па­ра­мет­ры ВАХ им­пульс­ных ЛПД: плот­ность кри­ти­че­ско­го то­ка, ска­чок на­пря­же­ния на уча­стке от­ри­ца­тель­но­го диф­фе­рен­ци­а­ль­но­го со­про­ти­вле­ния, на­пря­же­ние ла­вин­но­го про­боя. При­ве­ден спо­соб оп­ре­де­ле­ния тем­пе­ра­тур­но­го со­про­тив­ле­ния уча­ст­ка «p–n-пе­ре­ход—ко­р­пус», не­об­хо­ди­мо­го для рас­че­та ре­жи­ма ра­бо­ты ЛПД, по­ка­за­на воз­мож­ность про­г­но­зи­ро­ва­ния ран­них от­ка­зов ЛПД.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.32
work_keys_str_mv AT kudrykyaya themeasurementsofpulsedivcurvesforsiliconimpattdiodesintheavalanchebreakdownregion
AT kudrykyaya izmereniâvahimpulʹsnyhkremnievyhlpdnaučastkelavinnogoproboâ
AT kudrykyaya measurementsofpulsedivcurvesforsiliconimpattdiodesintheavalanchebreakdownregion
first_indexed 2025-12-02T15:19:27Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:27Z
_version_ 1850410288698884096