Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
The correlation between mobility and carriers concentration and growth’s conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth’s process....
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.38 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543909974376448 |
|---|---|
| author | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Yakubov, E. N. |
| author_facet | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Yakubov, E. N. |
| author_sort | Karimov, A. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-11-30T21:25:52Z |
| description | The correlation between mobility and carriers concentration and growth’s conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth’s process. |
| first_indexed | 2025-12-02T15:19:27Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-640 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-02T15:19:27Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-6402025-11-30T21:25:52Z The correlation between parameters of gallium arsenic epitaxy layers and technology of growth’s process Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Yakubov, E. N. p–n-junction epitaxy concentration temperature mobility p–n-переход эпитаксия подвижность концентрация температура The correlation between mobility and carriers concentration and growth’s conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth’s process. Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоеви технологии их выращивания PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.38 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 38-41 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 38-41 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.38/581 Copyright (c) 2009 Karimov A. V., Yodgorova D. M., Yakubov E. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | p–n-переход эпитаксия подвижность концентрация температура Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Yakubov, E. N. Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_alt | The correlation between parameters of gallium arsenic epitaxy layers and technology of growth’s process |
| title_full | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_fullStr | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_full_unstemmed | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_short | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_sort | корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| topic | p–n-переход эпитаксия подвижность концентрация температура |
| topic_facet | p–n-junction epitaxy concentration temperature mobility p–n-переход эпитаксия подвижность концентрация температура |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.38 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav thecorrelationbetweenparametersofgalliumarsenicepitaxylayersandtechnologyofgrowthsprocess AT yodgorovadm thecorrelationbetweenparametersofgalliumarsenicepitaxylayersandtechnologyofgrowthsprocess AT yakuboven thecorrelationbetweenparametersofgalliumarsenicepitaxylayersandtechnologyofgrowthsprocess AT karimovav korrelâciâparametrovarsenidgallievyhépitaksialʹnyhsloevitehnologiiihvyraŝivaniâ AT yodgorovadm korrelâciâparametrovarsenidgallievyhépitaksialʹnyhsloevitehnologiiihvyraŝivaniâ AT yakuboven korrelâciâparametrovarsenidgallievyhépitaksialʹnyhsloevitehnologiiihvyraŝivaniâ AT karimovav correlationbetweenparametersofgalliumarsenicepitaxylayersandtechnologyofgrowthsprocess AT yodgorovadm correlationbetweenparametersofgalliumarsenicepitaxylayersandtechnologyofgrowthsprocess AT yakuboven correlationbetweenparametersofgalliumarsenicepitaxylayersandtechnologyofgrowthsprocess |