Зображення обкладинки

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

The correlation between mobility and carriers concentration and growth’s conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth’s process....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Автори:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yakubov, E. N.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:	p–n-переход эпитаксия подвижность концентрация температура
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.38
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
за авторством: Petrosjan, G. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

К вопросу о минимизации числа межслойных переходов при трассировке печатных плат
за авторством: Luzin, S. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Оптимизация расположения межслойных переходов на группе проводников
за авторством: Knop, K. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Yakovlev, I. V.
Опубліковано: (2007)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса
за авторством: Brajilovskyj, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
за авторством: Гончарук, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ТЕХНОЛОГИИ ВЫРАЩИВАНИЯ И ТОЛЕРАНТНОСТИ ГАЛОФИТОВ
за авторством: Мильчакова, Н. А.
Опубліковано: (2023)

Проектирование и экономическое обоснование эффективных технологий выращивания винограда
за авторством: Маслич, Е.А.
Опубліковано: (2012)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Упрочняющие технологии формирования износостойких поверхностных слоев
за авторством: Тихоненко, В.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Перспективы и совершенствование плазменно-индукционной технологии выращивания монокристаллов тугоплавких металлов
за авторством: Гниздыло, А.Н.
Опубліковано: (2015)

Применение аддитивных технологий для выращивания крупных профилированных монокристаллов вольфрама и молибдена
за авторством: Шаповалов, В.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1997)

Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1995)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
за авторством: Hladkovskiy, V. V., та інші
Опубліковано: (2014)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
за авторством: Терлецкая, Л.Л., та інші
Опубліковано: (2003)