Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
The results of research and optimization of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures manufacturing method are presented, as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p–i–n-diodes in the 25—500°C temperature range.
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543910825820160 |
|---|---|
| author | Boltovets, M. S. Borisenko, A. G. Ivanov, V. N. Fedorovich, О. А. Krivutsa, V. A. Polozov, B. P. |
| author_facet | Boltovets, M. S. Borisenko, A. G. Ivanov, V. N. Fedorovich, О. А. Krivutsa, V. A. Polozov, B. P. |
| author_sort | Boltovets, M. S. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-11-30T21:25:19Z |
| description | The results of research and optimization of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures manufacturing method are presented, as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p–i–n-diodes in the 25—500°C temperature range. |
| first_indexed | 2025-12-02T15:19:27Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-642 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-02T15:19:27Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-6422025-11-30T21:25:19Z Forming of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures by the ion-plasmous etching method Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления Boltovets, M. S. Borisenko, A. G. Ivanov, V. N. Fedorovich, О. А. Krivutsa, V. A. Polozov, B. P. p–i–n-diode 4NSiC silicon carbide ion-plasma etching silicon etching mesastructure diode chip p–i–n-диод карбид кремния 4НSiC травление ионно-плазменное травление кремния мезаструктура чип диода The results of research and optimization of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures manufacturing method are presented, as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p–i–n-diodes in the 25—500°C temperature range. Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов на промышленной технологической базе. Исследованы вольт-амперные характеристики и характеристики переключения p–i–n-диодов в интервале температуры 25—500°С. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 45-48 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 45-48 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45/583 Copyright (c) 2009 Boltovets M. S., Borisenko A. G., Ivanov V. N., Fedorovich О. А., Krivutsa V. A., Polozov B. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | p–i–n-диод карбид кремния 4НSiC травление ионно-плазменное травление кремния мезаструктура чип диода Boltovets, M. S. Borisenko, A. G. Ivanov, V. N. Fedorovich, О. А. Krivutsa, V. A. Polozov, B. P. Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_alt | Forming of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures by the ion-plasmous etching method |
| title_full | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_fullStr | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_full_unstemmed | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_short | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_sort | формирование мезаструктур 4нsic p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| topic | p–i–n-диод карбид кремния 4НSiC травление ионно-плазменное травление кремния мезаструктура чип диода |
| topic_facet | p–i–n-diode 4NSiC silicon carbide ion-plasma etching silicon etching mesastructure diode chip p–i–n-диод карбид кремния 4НSiC травление ионно-плазменное травление кремния мезаструктура чип диода |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45 |
| work_keys_str_mv | AT boltovetsms formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT borisenkoag formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT ivanovvn formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT fedorovichoa formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT krivutsava formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT polozovbp formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod AT boltovetsms formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT borisenkoag formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT ivanovvn formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT fedorovichoa formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT krivutsava formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT polozovbp formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ |