Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

The results of research and optimization of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures manufacturing method are presented, as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p–i–n-diodes in the 25—500°C temperature range.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:
p–i–n-диод
карбид кремния 4НSiC
травление ионно-плазменное
травление кремния
мезаструктура
чип диода
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-642
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6422025-11-30T21:25:19Z Forming of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures by the ion-plasmous etching method Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления Boltovets, M. S. Borisenko, A. G. Ivanov, V. N. Fedorovich, О. А. Krivutsa, V. A. Polozov, B. P. p–i–n-diode 4NSiC silicon carbide ion-plasma etching silicon etching mesastructure diode chip p–i–n-диод карбид кремния 4НSiC травление ионно-плазменное травление кремния мезаструктура чип диода The results of research and optimization of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures manufacturing method are presented, as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p–i–n-diodes in the 25—500°C temperature range. Пред­став­ле­ны ре­зуль­та­ты ис­сле­до­ва­ния и оп­ти­ми­за­ции про­цес­са фор­ми­ро­ва­ния ме­за­струк­тур 4НSiC p–i–n-ди­о­дов на про­мыш­лен­ной тех­но­ло­ги­че­ской ба­зе. Ис­сле­до­ва­ны вольт-ам­пер­ные ха­рак­те­ри­сти­ки и ха­рак­те­ри­сти­ки пе­ре­клю­че­ния p–i–n-ди­о­дов в ин­тер­ва­ле тем­пе­ра­ту­ры 25—500°С. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 45-48 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 45-48 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45/583 Copyright (c) 2009 Boltovets M. S., Borisenko A. G., Ivanov V. N., Fedorovich О. А., Krivutsa V. A., Polozov B. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-30T21:25:19Z
collection OJS
language Ukrainian
topic p–i–n-диод
карбид кремния 4НSiC
травление ионно-плазменное
травление кремния
мезаструктура
чип диода
spellingShingle p–i–n-диод
карбид кремния 4НSiC
травление ионно-плазменное
травление кремния
мезаструктура
чип диода
Boltovets, M. S.
Borisenko, A. G.
Ivanov, V. N.
Fedorovich, О. А.
Krivutsa, V. A.
Polozov, B. P.
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
topic_facet p–i–n-diode
4NSiC silicon carbide
ion-plasma etching
silicon etching
mesastructure
diode chip
p–i–n-диод
карбид кремния 4НSiC
травление ионно-плазменное
травление кремния
мезаструктура
чип диода
format Article
author Boltovets, M. S.
Borisenko, A. G.
Ivanov, V. N.
Fedorovich, О. А.
Krivutsa, V. A.
Polozov, B. P.
author_facet Boltovets, M. S.
Borisenko, A. G.
Ivanov, V. N.
Fedorovich, О. А.
Krivutsa, V. A.
Polozov, B. P.
author_sort Boltovets, M. S.
title Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
title_short Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
title_full Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
title_fullStr Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
title_full_unstemmed Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
title_sort формирование мезаструктур 4нsic p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
title_alt Forming of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures by the ion-plasmous etching method
description The results of research and optimization of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures manufacturing method are presented, as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p–i–n-diodes in the 25—500°C temperature range.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45
work_keys_str_mv AT boltovetsms formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod
AT borisenkoag formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod
AT ivanovvn formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod
AT fedorovichoa formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod
AT krivutsava formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod
AT polozovbp formingof4nsicpindiodesmesastructuresbytheionplasmousetchingmethod
AT boltovetsms formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ
AT borisenkoag formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ
AT ivanovvn formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ
AT fedorovichoa formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ
AT krivutsava formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ
AT polozovbp formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ
first_indexed 2025-12-02T15:19:27Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:27Z
_version_ 1850410289351098368

Ähnliche Einträge