Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов

Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов

The article displays the results of investigation of influence of low energy (3—6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etch...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Popov, V. M., Shustov, Yu. M., Klimenko, A. S., Pokanevich, A. P.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:
электрически активные дефекты
кремний
облучение ионами
растровая электронная микроскопия
фо­то­чув­ст­ви­тельность
диоды Шоттки
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.48
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-653
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6532025-11-30T21:14:34Z The influence of low energy argon ion irradiation on generation of electrically active defects in silicon Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов Popov, V. M. Shustov, Yu. M. Klimenko, A. S. Pokanevich, A. P. electrically active defects silicon ion irradiation scanning electron microscopy photosensitivity Schottky diodes электрически активные дефекты кремний облучение ионами растровая электронная микроскопия фо­то­чув­ст­ви­тельность диоды Шоттки The article displays the results of investigation of influence of low energy (3—6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etching of silicon by low-energy ions was shown to be an effective tool for task — oriented modification of electrophysical properties of semiconductor surface. Пред­став­ле­ны ре­зу­ль­та­ты ис­сле­до­ва­ний вли­я­ния тра­в­ле­ния крем­ния р-ти­па ио­на­ми ар­го­на с энер­ги­ей 3—6 кэВ на об­ра­зо­ва­ние элек­три­че­ски ак­ти­в­ных де­фек­тов (ЭАД) в при­по­ве­рх­но­ст­ном слое по­лу­про­вод­ни­ка. Фо­то­чув­ст­ви­те­ль­ность ди­о­дов Шот­тки, сфор­ми­ро­ва­н­ных на ио­нно-тра­в­лен­ной по­ве­рх­но­сти, воз­рас­та­ет, дос­ти­гая мак­си­ма­ль­ных зна­че­ний в об­ла­сти ЭАД. По­ка­за­но, что тра­в­ле­ние кре­м­ния ио­на­ми ни­з­ких эне­р­гий яв­ля­ет­ся эф­фек­тив­ным сред­ст­вом це­ле­на­пра­в­лен­ной мо­ди­фи­ка­ции элек­тро­фи­зи­че­ских свойств его по­ве­рх­но­сти. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.48 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 48-51 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 48-51 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.48/595 Copyright (c) 2009 Popov V. M., Shustov Y. M., Klimenko A. S., Pokanevich A. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-30T21:14:34Z
collection OJS
language Ukrainian
topic электрически активные дефекты
кремний
облучение ионами
растровая электронная микроскопия
фо­то­чув­ст­ви­тельность
диоды Шоттки
spellingShingle электрически активные дефекты
кремний
облучение ионами
растровая электронная микроскопия
фо­то­чув­ст­ви­тельность
диоды Шоттки
Popov, V. M.
Shustov, Yu. M.
Klimenko, A. S.
Pokanevich, A. P.
Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов
topic_facet electrically active defects
silicon
ion irradiation
scanning electron microscopy
photosensitivity
Schottky diodes
электрически активные дефекты
кремний
облучение ионами
растровая электронная микроскопия
фо­то­чув­ст­ви­тельность
диоды Шоттки
format Article
author Popov, V. M.
Shustov, Yu. M.
Klimenko, A. S.
Pokanevich, A. P.
author_facet Popov, V. M.
Shustov, Yu. M.
Klimenko, A. S.
Pokanevich, A. P.
author_sort Popov, V. M.
title Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов
title_short Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов
title_full Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов
title_fullStr Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов
title_full_unstemmed Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов
title_sort вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов
title_alt The influence of low energy argon ion irradiation on generation of electrically active defects in silicon
description The article displays the results of investigation of influence of low energy (3—6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etching of silicon by low-energy ions was shown to be an effective tool for task — oriented modification of electrophysical properties of semiconductor surface.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.48
work_keys_str_mv AT popovvm theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
AT shustovyum theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
AT klimenkoas theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
AT pokanevichap theinfluenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
AT popovvm vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov
AT shustovyum vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov
AT klimenkoas vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov
AT pokanevichap vliânieoblučeniâkremniânizkoénergetičeskimiionamiargonanaobrazovanievnemélektričeskiaktivnyhdefektov
AT popovvm influenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
AT shustovyum influenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
AT klimenkoas influenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
AT pokanevichap influenceoflowenergyargonionirradiationongenerationofelectricallyactivedefectsinsilicon
first_indexed 2025-12-02T15:19:29Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:29Z
_version_ 1850410291369607168

Схожі ресурси