Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов

• Дата: 2009
• Автори: Popov, V. M., Shustov, Yu. M., Klimenko, A. S., Pokanevich, A. P.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
• Теми: электрически активные дефекты; кремний; облучение ионами; растровая электронная микроскопия; фо­то­чув­ст­ви­тельность; диоды Шоттки
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.48
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The article displays the results of investigation of influence of low energy (3—6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etch...