Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми

Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми

The influence of sequentially connected potential barriers on the physical processes occurring in the pAlGaInAs–nGaAs heterojunction has been investigated using single- and multi-barrier structures. It has been shown that modification of the heterojunction by creating a sequentially connected barrie...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:
одно- и двухбазовая структура
потенциальные последовательно соединенные барьеры
гетеропереход pAlGaInAs–nGaAs
примесный слой
слой объемного заряда
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.52
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-654
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6542025-11-30T21:14:34Z Modification of barrier structure on the basis of pAlGaInAs–nGaAs by consecutively connected potential barriers Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Giyasova, F. A. Zoirova, L. Kh. Abdulhaev, O. A. Juraev, D. R. single- and double-base structure potential series-connected barriers pAlGaInAs–nGaAs heterojunction impurity layer space charge layer одно- и двухбазовая структура потенциальные последовательно соединенные барьеры гетеропереход pAlGaInAs–nGaAs примесный слой слой объемного заряда The influence of sequentially connected potential barriers on the physical processes occurring in the pAlGaInAs–nGaAs heterojunction has been investigated using single- and multi-barrier structures. It has been shown that modification of the heterojunction by creating a sequentially connected barrier to the substrate and to the heterolayer leads to the transformation of the passive parasitic part of the substrate into an active one and to its modulation from both sides, while the third barrier formed towards the heterolayer prevents carrier injection into the base region and significantly reduces the capacitance of the structure. As a result, the photosensitivity of the detector increases and its spectral range expands. Ис­сле­до­ва­но вли­я­ние по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ных по­тен­ци­а­ль­ных ба­рье­ров на фи­зи­че­ские про­це­ссы, про­те­ка­ю­щие в pAlGaInAs–nGaAs-ге­те­ро­пе­ре­хо­де на при­ме­ре од­но- и мно­го­ба­рьер­ных струк­тур. По­ка­за­но, что мо­ди­фи­ка­ция ге­те­ро­пе­ре­хо­да пу­тем соз­да­ния по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­но­го ба­рье­ра к под­лож­ке и к ге­те­ро­слою при­во­дят к пе­ре­во­ду пас­сив­ной па­ра­зит­ной ча­с­ти под­лож­ки в ка­те­го­рию ак­тив­ной и к ее мо­ду­ля­ции с двух сто­рон, а сфор­ми­ро­ван­ный к ге­те­ро­слою тре­тий ба­рьер ис­клю­ча­ет ин­жек­цию но­си­те­лей в ба­зо­вую об­ласть и су­ще­ст­вен­но умень­ша­ет ем­кость струк­ту­ры. В ре­зу­ль­та­те уве­ли­чи­ва­ет­ся фо­то­чув­стви­те­ль­ность при­ем­ни­ка и рас­ши­ря­ет­ся его спек­тра­ль­ный ди­а­па­зон. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.52 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 52-58 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 52-58 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.52/596 Copyright (c) 2009 Karimov A. V., Yodgorova D. M., Giyasova F. A., Zoirova L. Kh., Abdulhaev O. A., Juraev D. R. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-30T21:14:34Z
collection OJS
language Ukrainian
topic одно- и двухбазовая структура
потенциальные последовательно соединенные барьеры
гетеропереход pAlGaInAs–nGaAs
примесный слой
слой объемного заряда
spellingShingle одно- и двухбазовая структура
потенциальные последовательно соединенные барьеры
гетеропереход pAlGaInAs–nGaAs
примесный слой
слой объемного заряда
Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Giyasova, F. A.
Zoirova, L. Kh.
Abdulhaev, O. A.
Juraev, D. R.
Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми
topic_facet single- and double-base structure
potential series-connected barriers
pAlGaInAs–nGaAs heterojunction
impurity layer
space charge layer
одно- и двухбазовая структура
потенциальные последовательно соединенные барьеры
гетеропереход pAlGaInAs–nGaAs
примесный слой
слой объемного заряда
format Article
author Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Giyasova, F. A.
Zoirova, L. Kh.
Abdulhaev, O. A.
Juraev, D. R.
author_facet Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Giyasova, F. A.
Zoirova, L. Kh.
Abdulhaev, O. A.
Juraev, D. R.
author_sort Karimov, A. V.
title Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми
title_short Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми
title_full Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми
title_fullStr Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми
title_full_unstemmed Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми
title_sort мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве palgainas–ngaas по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми
title_alt Modification of barrier structure on the basis of pAlGaInAs–nGaAs by consecutively connected potential barriers
description The influence of sequentially connected potential barriers on the physical processes occurring in the pAlGaInAs–nGaAs heterojunction has been investigated using single- and multi-barrier structures. It has been shown that modification of the heterojunction by creating a sequentially connected barrier to the substrate and to the heterolayer leads to the transformation of the passive parasitic part of the substrate into an active one and to its modulation from both sides, while the third barrier formed towards the heterolayer prevents carrier injection into the base region and significantly reduces the capacitance of the structure. As a result, the photosensitivity of the detector increases and its spectral range expands.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.52
work_keys_str_mv AT karimovav modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers
AT yodgorovadm modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers
AT giyasovafa modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers
AT zoirovalkh modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers
AT abdulhaevoa modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers
AT juraevdr modificationofbarrierstructureonthebasisofpalgainasngaasbyconsecutivelyconnectedpotentialbarriers
AT karimovav modifikaciâbarʹernojstrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami
AT yodgorovadm modifikaciâbarʹernojstrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami
AT giyasovafa modifikaciâbarʹernojstrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami
AT zoirovalkh modifikaciâbarʹernojstrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami
AT abdulhaevoa modifikaciâbarʹernojstrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami
AT juraevdr modifikaciâbarʹernojstrukturynaosnovepalgainasngaasposledovatelʹnosoedinennymipotencialʹnymibarʹerami
first_indexed 2025-12-02T15:19:29Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:29Z
_version_ 1850410291494387712

Схожі ресурси