Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В

Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В

The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n+-type guard rings regions forma...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Dudar, N. L., Syakerskiy, V. S., Koritko, N. N.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:
стабилитрон
технологический маршрут
моделирование
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.10
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-660
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6602025-12-01T20:49:10Z The electric characteristics simulation and structural parameters calculation of Si-based stabilitron with stabilizing voltage 6,5 V Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В Dudar, N. L. Syakerskiy, V. S. Koritko, N. N. voltage-reference diode process route modeling стабилитрон технологический маршрут моделирование The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n+-type guard rings regions formation in the р-type substrate; the р–n-junction formation in the р-type substrate; intermediate oxide formation; metal deposition. The stabilizing voltage and differential resistance of the stabilitron voltage-current characteristic reverse branch values were received as the result of calculations at the normal, reduced and high temperature. При­ве­де­ны ре­зуль­та­ты оп­ти­ми­за­ци­он­но­го мо­де­ли­ро­ва­ния ори­ги­наль­но­го тех­про­цес­са из­го­то­вле­ния и элек­три­че­ских ха­рак­те­рис­тик ста­би­ли­тро­нов с на­пря­же­ни­ем ста­би­ли­за­ции Uст=6,5±0,5 В. Мар­шрут из­го­то­вле­ния ста­би­ли­тро­на вклю­ча­ет в се­бя фор­ми­ро­ва­ние об­лас­тей ох­ран­ных ко­лец n+-ти­па в под­лож­ке р-ти­па; фор­ми­ро­ва­ние р–n-пе­ре­хо­да в под­лож­ке р-ти­па; фор­ми­ро­ва­ние меж­слой­но­го оки­сла; на­пы­ле­ние ме­тал­ла. В ре­зуль­та­те рас­че­тов элек­три­че­ских ха­рак­те­рис­тик бы­ли по­лу­че­ны зна­че­ния на­пря­же­ния ста­би­ли­за­ции и диф­фе­рен­ци­аль­но­го со­про­тив­ле­ния об­рат­ной вет­ви ВАХ ста­би­ли­тро­на при нор­маль­ной, по­ни­жен­ной и по­вы­шен­ной тем­пе­ра­ту­ре. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.10 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 10-12 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 10-12 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.10/599 Copyright (c) 2009 Dudar N. L., Syakerskiy V. S., Koritko N. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-12-01T20:49:10Z
collection OJS
language Ukrainian
topic стабилитрон
технологический маршрут
моделирование
spellingShingle стабилитрон
технологический маршрут
моделирование
Dudar, N. L.
Syakerskiy, V. S.
Koritko, N. N.
Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
topic_facet voltage-reference diode
process route
modeling
стабилитрон
технологический маршрут
моделирование
format Article
author Dudar, N. L.
Syakerskiy, V. S.
Koritko, N. N.
author_facet Dudar, N. L.
Syakerskiy, V. S.
Koritko, N. N.
author_sort Dudar, N. L.
title Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
title_short Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
title_full Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
title_fullStr Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
title_full_unstemmed Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
title_sort моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 в
title_alt The electric characteristics simulation and structural parameters calculation of Si-based stabilitron with stabilizing voltage 6,5 V
description The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n+-type guard rings regions formation in the р-type substrate; the р–n-junction formation in the р-type substrate; intermediate oxide formation; metal deposition. The stabilizing voltage and differential resistance of the stabilitron voltage-current characteristic reverse branch values were received as the result of calculations at the normal, reduced and high temperature.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.10
work_keys_str_mv AT dudarnl theelectriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v
AT syakerskiyvs theelectriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v
AT koritkonn theelectriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v
AT dudarnl modelirovanieélektričeskihharakteristikirasčetkonstruktivnyhparametrovkremnievogostabilitronasnaprâženiemstabilizacii65v
AT syakerskiyvs modelirovanieélektričeskihharakteristikirasčetkonstruktivnyhparametrovkremnievogostabilitronasnaprâženiemstabilizacii65v
AT koritkonn modelirovanieélektričeskihharakteristikirasčetkonstruktivnyhparametrovkremnievogostabilitronasnaprâženiemstabilizacii65v
AT dudarnl electriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v
AT syakerskiyvs electriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v
AT koritkonn electriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v
first_indexed 2025-12-02T15:19:30Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:30Z
_version_ 1850762686719066112

Ähnliche Einträge