Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В
The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n+-type guard rings regions forma...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.10 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543915869470720 |
|---|---|
| author | Dudar, N. L. Syakerskiy, V. S. Koritko, N. N. |
| author_facet | Dudar, N. L. Syakerskiy, V. S. Koritko, N. N. |
| author_sort | Dudar, N. L. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-12-01T20:49:10Z |
| description | The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n+-type guard rings regions formation in the р-type substrate; the р–n-junction formation in the р-type substrate; intermediate oxide formation; metal deposition. The stabilizing voltage and differential resistance of the stabilitron voltage-current characteristic reverse branch values were received as the result of calculations at the normal, reduced and high temperature. |
| first_indexed | 2025-12-02T15:19:30Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-660 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-02T15:19:30Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-6602025-12-01T20:49:10Z The electric characteristics simulation and structural parameters calculation of Si-based stabilitron with stabilizing voltage 6,5 V Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В Dudar, N. L. Syakerskiy, V. S. Koritko, N. N. voltage-reference diode process route modeling стабилитрон технологический маршрут моделирование The results of an optimization simulation of original manufacturing process and electric characteristics of stabilitrons with stabilizing voltage Ust=(6,5±0,5) V are presented. The flow of manufacturing process of simulated stabilitron includes the n+-type guard rings regions formation in the р-type substrate; the р–n-junction formation in the р-type substrate; intermediate oxide formation; metal deposition. The stabilizing voltage and differential resistance of the stabilitron voltage-current characteristic reverse branch values were received as the result of calculations at the normal, reduced and high temperature. Приведены результаты оптимизационного моделирования оригинального техпроцесса изготовления и электрических характеристик стабилитронов с напряжением стабилизации Uст=6,5±0,5 В. Маршрут изготовления стабилитрона включает в себя формирование областей охранных колец n+-типа в подложке р-типа; формирование р–n-перехода в подложке р-типа; формирование межслойного окисла; напыление металла. В результате расчетов электрических характеристик были получены значения напряжения стабилизации и дифференциального сопротивления обратной ветви ВАХ стабилитрона при нормальной, пониженной и повышенной температуре. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.10 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 10-12 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 10-12 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.10/599 Copyright (c) 2009 Dudar N. L., Syakerskiy V. S., Koritko N. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | стабилитрон технологический маршрут моделирование Dudar, N. L. Syakerskiy, V. S. Koritko, N. N. Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| title | Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| title_alt | The electric characteristics simulation and structural parameters calculation of Si-based stabilitron with stabilizing voltage 6,5 V |
| title_full | Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| title_fullStr | Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| title_full_unstemmed | Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| title_short | Моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 В |
| title_sort | моделирование электрических характеристик и расчет конструктивных параметров кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 в |
| topic | стабилитрон технологический маршрут моделирование |
| topic_facet | voltage-reference diode process route modeling стабилитрон технологический маршрут моделирование |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.10 |
| work_keys_str_mv | AT dudarnl theelectriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v AT syakerskiyvs theelectriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v AT koritkonn theelectriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v AT dudarnl modelirovanieélektričeskihharakteristikirasčetkonstruktivnyhparametrovkremnievogostabilitronasnaprâženiemstabilizacii65v AT syakerskiyvs modelirovanieélektričeskihharakteristikirasčetkonstruktivnyhparametrovkremnievogostabilitronasnaprâženiemstabilizacii65v AT koritkonn modelirovanieélektričeskihharakteristikirasčetkonstruktivnyhparametrovkremnievogostabilitronasnaprâženiemstabilizacii65v AT dudarnl electriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v AT syakerskiyvs electriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v AT koritkonn electriccharacteristicssimulationandstructuralparameterscalculationofsibasedstabilitronwithstabilizingvoltage65v |