Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

The work experimentally demonstrates that the mechanism of current transport through p+GaAs–nGaAs–p+GaAs structure is determined by injection–tunneling and generation–recombination mechanisms. When modulating the part of the base containing defects, the injection–tunneling current predominates, whil...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:
механизм токоперенос
p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура
модуляция
дефекты
ограничитель напряжения
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.28
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-665
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6652025-12-01T20:49:10Z Gallium arsenide p+–n–p+-structures with impoverished base area Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulkhaev, O. A. charge transport mechanism p GaAs–nGaAs–p GaAs structure modulation defects voltage limiter механизм токоперенос p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура модуляция дефекты ограничитель напряжения The work experimentally demonstrates that the mechanism of current transport through p+GaAs–nGaAs–p+GaAs structure is determined by injection–tunneling and generation–recombination mechanisms. When modulating the part of the base containing defects, the injection–tunneling current predominates, while in modulating the part of the base with fewer defects, the determining currents are generation–recombination. Such structures are of interest for the creation of voltage limiters and electronic switches. В ра­бо­те экс­пе­ри­мен­таль­но по­ка­за­но, что ме­ха­низм то­ко­пе­ре­но­са че­рез p+GaAs–nGaAs–p+GaAs-струк­ту­ру оп­ре­де­ля­ет­ся ин­жек­ци­он­но-тун­нель­ным и ге­не­ра­ци­он­но-ре­ком­би­на­ци­он­ным ме­ха­низ­ма­ми. При мо­ду­ля­ции час­ти ба­зы, со­дер­жа­щей де­фек­ты, пре­ва­ли­ру­ет ин­жек­ци­он­но-тун­нель­ный ток, а при мо­ду­ля­ции час­ти ба­зы с мень­шей де­фект­но­стью оп­ре­де­ля­ю­щи­ми яв­ля­ют­ся ге­не­ра­ци­он­но-ре­ком­би­на­ци­он­ные то­ки. Та­кие струк­ту­ры пред­став­ля­ют ин­те­рес для соз­да­ния на их ос­но­ве ог­ра­ни­чи­те­лей на­пря­же­ния и элек­трон­ных пе­ре­клю­ча­те­лей. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.28 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 28-31 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 28-31 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.28/604 Copyright (c) 2009 Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-12-01T20:49:10Z
collection OJS
language Ukrainian
topic механизм токоперенос
p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура
модуляция
дефекты
ограничитель напряжения
spellingShingle механизм токоперенос
p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура
модуляция
дефекты
ограничитель напряжения
Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Abdulkhaev, O. A.
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
topic_facet charge transport mechanism
p GaAs–nGaAs–p GaAs structure
modulation
defects
voltage limiter
механизм токоперенос
p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура
модуляция
дефекты
ограничитель напряжения
format Article
author Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Abdulkhaev, O. A.
author_facet Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Abdulkhaev, O. A.
author_sort Karimov, A. V.
title Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_short Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_full Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_fullStr Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_full_unstemmed Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_sort арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_alt Gallium arsenide p+–n–p+-structures with impoverished base area
description The work experimentally demonstrates that the mechanism of current transport through p+GaAs–nGaAs–p+GaAs structure is determined by injection–tunneling and generation–recombination mechanisms. When modulating the part of the base containing defects, the injection–tunneling current predominates, while in modulating the part of the base with fewer defects, the determining currents are generation–recombination. Such structures are of interest for the creation of voltage limiters and electronic switches.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.28
work_keys_str_mv AT karimovav galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea
AT yodgorovadm galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea
AT abdulkhaevoa galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea
AT karimovav arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemojbazovojoblastʹû
AT yodgorovadm arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemojbazovojoblastʹû
AT abdulkhaevoa arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemojbazovojoblastʹû
first_indexed 2025-12-02T15:19:30Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:30Z
_version_ 1850762687262228480

Ähnliche Einträge