Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
The work experimentally demonstrates that the mechanism of current transport through p+GaAs–nGaAs–p+GaAs structure is determined by injection–tunneling and generation–recombination mechanisms. When modulating the part of the base containing defects, the injection–tunneling current predominates, whil...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.28 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543916971524096 |
|---|---|
| author | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulkhaev, O. A. |
| author_facet | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulkhaev, O. A. |
| author_sort | Karimov, A. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-12-01T20:49:10Z |
| description | The work experimentally demonstrates that the mechanism of current transport through p+GaAs–nGaAs–p+GaAs structure is determined by injection–tunneling and generation–recombination mechanisms. When modulating the part of the base containing defects, the injection–tunneling current predominates, while in modulating the part of the base with fewer defects, the determining currents are generation–recombination. Such structures are of interest for the creation of voltage limiters and electronic switches. |
| first_indexed | 2025-12-02T15:19:30Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-665 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-02T15:19:30Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-6652025-12-01T20:49:10Z Gallium arsenide p+–n–p+-structures with impoverished base area Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulkhaev, O. A. charge transport mechanism p GaAs–nGaAs–p GaAs structure modulation defects voltage limiter механизм токоперенос p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура модуляция дефекты ограничитель напряжения The work experimentally demonstrates that the mechanism of current transport through p+GaAs–nGaAs–p+GaAs structure is determined by injection–tunneling and generation–recombination mechanisms. When modulating the part of the base containing defects, the injection–tunneling current predominates, while in modulating the part of the base with fewer defects, the determining currents are generation–recombination. Such structures are of interest for the creation of voltage limiters and electronic switches. В работе экспериментально показано, что механизм токопереноса через p+GaAs–nGaAs–p+GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. При модуляции части базы, содержащей дефекты, превалирует инжекционно-туннельный ток, а при модуляции части базы с меньшей дефектностью определяющими являются генерационно-рекомбинационные токи. Такие структуры представляют интерес для создания на их основе ограничителей напряжения и электронных переключателей. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.28 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 28-31 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 28-31 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.28/604 Copyright (c) 2009 Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | механизм токоперенос p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура модуляция дефекты ограничитель напряжения Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulkhaev, O. A. Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_alt | Gallium arsenide p+–n–p+-structures with impoverished base area |
| title_full | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_fullStr | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_full_unstemmed | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_short | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_sort | арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| topic | механизм токоперенос p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура модуляция дефекты ограничитель напряжения |
| topic_facet | charge transport mechanism p GaAs–nGaAs–p GaAs structure modulation defects voltage limiter механизм токоперенос p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура модуляция дефекты ограничитель напряжения |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.28 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea AT yodgorovadm galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea AT abdulkhaevoa galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea AT karimovav arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemojbazovojoblastʹû AT yodgorovadm arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemojbazovojoblastʹû AT abdulkhaevoa arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemojbazovojoblastʹû |