Buchumschlag

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

The work experimentally demonstrates that the mechanism of current transport through p+GaAs–nGaAs–p+GaAs structure is determined by injection–tunneling and generation–recombination mechanisms. When modulating the part of the base containing defects, the injection–tunneling current predominates, whil...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:	механизм токоперенос p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура модуляция дефекты ограничитель напряжения
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.28
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
von: Mollaamin, F.
Veröffentlicht: (2025)

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
von: Gentsar, P. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
von: Tsybulenko, Vadym, et al.
Veröffentlicht: (2020)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
von: Туркевич, В. З., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
von: Bahanov, Yevgen, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time»
von: Naida, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2021)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу
von: Zinovchuk, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВОГО ИНВЕРТОРА С ПРОСТРАНСТВЕННО-ВЕКТОРНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ДВУХ ЛИНЕЙНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ
von: Лопаткин, Н.Н.
Veröffentlicht: (2016)

Гібридна модель штучного інтелекту інтегрована в ГІС для прогнозування аварій на мережах водопостачання
von: Zaychenko, Yuriy, et al.
Veröffentlicht: (2024)

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
von: Осинський, В. І., et al.
Veröffentlicht: (2013)

ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV
von: Людвіченко, Олексій, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Самоасоційовані атомні групи в розплавах Ga–Sn
von: Bilyk, R., et al.
Veröffentlicht: (2021)

МЕТОД СИНХРОННОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К УПРАВЛЕНИЮ ЧЕТЫРЬМЯ ИНВЕРТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ, ПИТАЮЩИМИ АСИММЕТРИЧНЫЙ ШЕСТИФАЗНЫЙ АСИНХРОННЫЙ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЬ
von: Олещук, В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Низкотемпеpатуpная магнитостpикция магнетиков и свеpхпpоводников
von: Еременко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Низкотемпеpатуpные акустические хаpактеpистики амоpфного сплава Zr₄₁,₂Ti₁₃,₈Cu₁₂,₅Ni₁₀Be₂₂,₅
von: Гайдук, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (1997)

Равновесные магнитные хаpактеpистики ВТСП с учетом пpостpанственного pаспpеделения паpаметpа поpядка в сеpдцевинах вихpей. I. Равновесная намагниченность
von: Мамсуpова, Л.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Закономеpности пpоникновения магнитного потока в модельные гpанулиpованные свеpхпpоводники
von: Краснюк, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Двухщелевая свеpхтекучесть в теоpии феpми-жидкости
von: Ахиезер, А.И., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Темпеpатуpная зависимость высокополевой намагниченности pазбавленных шпинелей с кластеpными магнитными стpуктуpами
von: Ефимова, Н.Н.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние бозоного пика на низкотемпеpатуpную электpонную спин-pешеточную pелаксацию в амоpфных металлах
von: Гиоргадзе, Н.П., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Низкотемпеpатуpные экспеpиментальные исследования в молекулярной биофизике
von: Благой, Ю.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)