Зображення обкладинки

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

The work experimentally demonstrates that the mechanism of current transport through p+GaAs–nGaAs–p+GaAs structure is determined by injection–tunneling and generation–recombination mechanisms. When modulating the part of the base containing defects, the injection–tunneling current predominates, whil...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Автори:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:	механизм токоперенос p GaAs–nGaAs–p GaAs-структура модуляция дефекты ограничитель напряжения
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.28
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
за авторством: Gentsar, P. O., та інші
Опубліковано: (2018)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2017)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
за авторством: Boledzyuk, V. B., та інші
Опубліковано: (2018)

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
за авторством: Tsybulenko, Vadym, та інші
Опубліковано: (2020)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
за авторством: Туркевич, В. З., та інші
Опубліковано: (2022)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Rakhmatov, A. Z., та інші
Опубліковано: (2010)

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
за авторством: Bahanov, Yevgen, та інші
Опубліковано: (2022)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time»
за авторством: Naida, S. A., та інші
Опубліковано: (2021)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу
за авторством: Zinovchuk, A. V., та інші
Опубліковано: (2020)

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВОГО ИНВЕРТОРА С ПРОСТРАНСТВЕННО-ВЕКТОРНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ДВУХ ЛИНЕЙНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ
за авторством: Лопаткин, Н.Н.
Опубліковано: (2016)

Гібридна модель штучного інтелекту інтегрована в ГІС для прогнозування аварій на мережах водопостачання
за авторством: Zaychenko, Yuriy, та інші
Опубліковано: (2024)

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
за авторством: Осинський, В. І., та інші
Опубліковано: (2013)

ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV
за авторством: Людвіченко, Олексій, та інші
Опубліковано: (2025)

Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2023)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2025)

Самоасоційовані атомні групи в розплавах Ga–Sn
за авторством: Bilyk, R., та інші
Опубліковано: (2021)

МЕТОД СИНХРОННОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К УПРАВЛЕНИЮ ЧЕТЫРЬМЯ ИНВЕРТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ, ПИТАЮЩИМИ АСИММЕТРИЧНЫЙ ШЕСТИФАЗНЫЙ АСИНХРОННЫЙ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЬ
за авторством: Олещук, В., та інші
Опубліковано: (2011)

Низкотемпеpатуpная магнитостpикция магнетиков и свеpхпpоводников
за авторством: Еременко, В.В., та інші
Опубліковано: (2001)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)

Низкотемпеpатуpные акустические хаpактеpистики амоpфного сплава Zr₄₁,₂Ti₁₃,₈Cu₁₂,₅Ni₁₀Be₂₂,₅
за авторством: Гайдук, А.Л., та інші
Опубліковано: (1997)

Равновесные магнитные хаpактеpистики ВТСП с учетом пpостpанственного pаспpеделения паpаметpа поpядка в сеpдцевинах вихpей. I. Равновесная намагниченность
за авторством: Мамсуpова, Л.Г., та інші
Опубліковано: (2001)

Закономеpности пpоникновения магнитного потока в модельные гpанулиpованные свеpхпpоводники
за авторством: Краснюк, И.Б., та інші
Опубліковано: (2007)

Двухщелевая свеpхтекучесть в теоpии феpми-жидкости
за авторством: Ахиезер, А.И., та інші
Опубліковано: (1998)

Темпеpатуpная зависимость высокополевой намагниченности pазбавленных шпинелей с кластеpными магнитными стpуктуpами
за авторством: Ефимова, Н.Н.
Опубліковано: (1998)

Влияние бозоного пика на низкотемпеpатуpную электpонную спин-pешеточную pелаксацию в амоpфных металлах
за авторством: Гиоргадзе, Н.П., та інші
Опубліковано: (1998)

Низкотемпеpатуpные экспеpиментальные исследования в молекулярной биофизике
за авторством: Благой, Ю.П., та інші
Опубліковано: (1999)