Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
Ultrathin functional layers of MOS transistors require high-quality isolation of active elements. A new method for forming epitaxial structures for silicon-on-insulator technology based on porous silicon is proposed. This makes it possible to form three types of transistors — bipolar, CMOS, and DMOS...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543916858277888 |
|---|---|
| author | Novosyadlyi, S. P. Vivcharuk, V. M. |
| author_facet | Novosyadlyi, S. P. Vivcharuk, V. M. |
| author_sort | Novosyadlyi, S. P. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-12-01T20:49:10Z |
| description | Ultrathin functional layers of MOS transistors require high-quality isolation of active elements. A new method for forming epitaxial structures for silicon-on-insulator technology based on porous silicon is proposed. This makes it possible to form three types of transistors — bipolar, CMOS, and DMOS. |
| first_indexed | 2025-12-02T15:19:31Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-667 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-02T15:19:31Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-6672025-12-01T20:49:10Z Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием Novosyadlyi, S. P. Vivcharuk, V. M. microelectronics porous silicon epitaxy insulation микроэлектроника пористый кремний, эпитаксия изоляция Ultrathin functional layers of MOS transistors require high-quality isolation of active elements. A new method for forming epitaxial structures for silicon-on-insulator technology based on porous silicon is proposed. This makes it possible to form three types of transistors — bipolar, CMOS, and DMOS. Сверхтонкие функциональные слои МОП-транзисторов требуют качественной изоляции активных элементов. Предложен новый метод формирования эпитаксиальных структур для технологии «кремний-на-изоляторе» на основе пористого кремния. Это позволит формировать три вида транзисторов — биполярные, КМОП, ДМОП. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 35-39 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 35-39 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35/606 Copyright (c) 2009 Novosyadlyi S. P., Vivcharuk V. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | микроэлектроника пористый кремний, эпитаксия изоляция Novosyadlyi, S. P. Vivcharuk, V. M. Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_alt | Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon |
| title_full | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_fullStr | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_full_unstemmed | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_short | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_sort | формирование моп-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| topic | микроэлектроника пористый кремний, эпитаксия изоляция |
| topic_facet | microelectronics porous silicon epitaxy insulation микроэлектроника пористый кремний, эпитаксия изоляция |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35 |
| work_keys_str_mv | AT novosyadlyisp formationofmostransistorswithisolationofactiveelementsbyoxidenporoussilicon AT vivcharukvm formationofmostransistorswithisolationofactiveelementsbyoxidenporoussilicon AT novosyadlyisp formirovaniemoptranzistorovsizolâciejaktivnyhélementovokislennymporistymkremniem AT vivcharukvm formirovaniemoptranzistorovsizolâciejaktivnyhélementovokislennymporistymkremniem |