Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием

Ultrathin functional layers of MOS transistors require high-quality isolation of active elements. A new method for forming epitaxial structures for silicon-on-insulator technology based on porous silicon is proposed. This makes it possible to form three types of transistors — bipolar, CMOS, and DMOS...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Novosyadlyi, S. P., Vivcharuk, V. M.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:
микроэлектроника
пористый кремний,
эпитаксия
изоляция
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-667
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6672025-12-01T20:49:10Z Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием Novosyadlyi, S. P. Vivcharuk, V. M. microelectronics porous silicon epitaxy insulation микроэлектроника пористый кремний, эпитаксия изоляция Ultrathin functional layers of MOS transistors require high-quality isolation of active elements. A new method for forming epitaxial structures for silicon-on-insulator technology based on porous silicon is proposed. This makes it possible to form three types of transistors — bipolar, CMOS, and DMOS. Сверх­тон­кие функ­цио­наль­ные слои МОП-тран­зис­то­ров тре­бу­ют ка­чест­вен­ной изо­ля­ции ак­тив­ных эле­мен­тов. Пред­ло­жен но­вый ме­тод фор­ми­ро­ва­ния эпи­так­си­аль­ных струк­тур для тех­но­ло­гии «крем­ний-на-изо­ля­то­ре» на ос­но­ве по­рис­то­го крем­ния. Это по­зво­лит фор­ми­ро­вать три ви­да тран­зис­то­ров — би­по­ляр­ные, КМОП, ДМОП. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 35-39 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 35-39 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35/606 Copyright (c) 2009 Novosyadlyi S. P., Vivcharuk V. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-12-01T20:49:10Z
collection OJS
language Ukrainian
topic микроэлектроника
пористый кремний,
эпитаксия
изоляция
spellingShingle микроэлектроника
пористый кремний,
эпитаксия
изоляция
Novosyadlyi, S. P.
Vivcharuk, V. M.
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
topic_facet microelectronics
porous silicon
epitaxy
insulation
микроэлектроника
пористый кремний,
эпитаксия
изоляция
format Article
author Novosyadlyi, S. P.
Vivcharuk, V. M.
author_facet Novosyadlyi, S. P.
Vivcharuk, V. M.
author_sort Novosyadlyi, S. P.
title Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_short Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_full Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_fullStr Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_full_unstemmed Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_sort формирование моп-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_alt Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon
description Ultrathin functional layers of MOS transistors require high-quality isolation of active elements. A new method for forming epitaxial structures for silicon-on-insulator technology based on porous silicon is proposed. This makes it possible to form three types of transistors — bipolar, CMOS, and DMOS.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35
work_keys_str_mv AT novosyadlyisp formationofmostransistorswithisolationofactiveelementsbyoxidenporoussilicon
AT vivcharukvm formationofmostransistorswithisolationofactiveelementsbyoxidenporoussilicon
AT novosyadlyisp formirovaniemoptranzistorovsizolâciejaktivnyhélementovokislennymporistymkremniem
AT vivcharukvm formirovaniemoptranzistorovsizolâciejaktivnyhélementovokislennymporistymkremniem
first_indexed 2025-12-02T15:19:31Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:31Z
_version_ 1850762687479283712

Ähnliche Einträge