Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
Ultrathin functional layers of MOS transistors require high-quality isolation of active elements. A new method for forming epitaxial structures for silicon-on-insulator technology based on porous silicon is proposed. This makes it possible to form three types of transistors — bipolar, CMOS, and DMOS...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2003)
Многоуровневые платы с толстопленочной полимерной изоляцией
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2012)
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Forsh, P. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Forsh, P. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Газочувствительные структуры "силицид кобальта – пористый кремний – кремний"
за авторством: Belousov, I. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Belousov, I. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Применение самовосстанавливающихся элементов для электрической защиты солнечных батарей
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2018)
Теоретические аспекты оптимизации металлических токосъемных контактов солнечных элементов
за авторством: Горский, П.В., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Горский, П.В., та інші
Опубліковано: (2001)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2010)
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
за авторством: Dzhafarov, T. D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dzhafarov, T. D., та інші
Опубліковано: (2012)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СПОСОБОВ ВЫРАВНИВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В МУФТАХ КАБЕЛЕЙ С ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ
за авторством: Кучерявая, И.Н.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Кучерявая, И.Н.
Опубліковано: (2016)
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2011)
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Гуляев, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Гуляев, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2011)
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ПРОЦЕССЫ В КАБЕЛЬНОЙ ЛИНИИ С ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ НА НАПРЯЖЕНИЕ 330 кВ
за авторством: Щерба, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Щерба, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
за авторством: Struhljak, N. Ja., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Struhljak, N. Ja., та інші
Опубліковано: (2006)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
за авторством: Moskovchenko, N. N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Moskovchenko, N. N., та інші
Опубліковано: (2006)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Исследование проволочного радиатора с тепловыми трубами для средств вычислительной техники
за авторством: Булавин, Л.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Булавин, Л.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
Устройства на основе фотонных кристаллов
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2004)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
за авторством: Ницович, Б.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ницович, Б.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Влияние режимных параметров на теплопередающие характеристики миниатюрных тепловых труб
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
Влияние циклического режима работы охлаждающего термоэлектрического устройства на его надежность
за авторством: Зайков, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Зайков, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)