Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
The physico-technological problems of obtaining and the main properties of scintillation materials based on zinc selenide and other AIIBVI compounds are considered. The influence of the properties of doping impurities on the processes of formation of complex lattice defects acting as luminescence ce...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.51 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543917533560832 |
|---|---|
| author | Starzhinskiy, N. G. Zenya, I. M. Katrunov, K. A. Ryzhikov, V. D. |
| author_facet | Starzhinskiy, N. G. Zenya, I. M. Katrunov, K. A. Ryzhikov, V. D. |
| author_sort | Starzhinskiy, N. G. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-12-01T20:49:10Z |
| description | The physico-technological problems of obtaining and the main properties of scintillation materials based on zinc selenide and other AIIBVI compounds are considered. The influence of the properties of doping impurities on the processes of formation of complex lattice defects acting as luminescence centers has been determined. It is shown that such property features as high light output and very low afterglow level, as well as the unique combination of scintillation and semiconductor properties, make it possible to use them in various fields of radiation instrumentation. |
| first_indexed | 2025-12-02T15:19:31Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-670 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-02T15:19:31Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-6702025-12-01T20:49:10Z Development of scintillators on the basis of AIIBVI compounds for radiation instruments used in medical and technical applications Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения Starzhinskiy, N. G. Zenya, I. M. Katrunov, K. A. Ryzhikov, V. D. AIIBVI compounds crystals scintillation characteristics luminescence centers ionizing radiation detectors кристаллы AIIBVI соединений сцинтилляционные характеристики центры люминесценции детекторы ионизирующих излучений The physico-technological problems of obtaining and the main properties of scintillation materials based on zinc selenide and other AIIBVI compounds are considered. The influence of the properties of doping impurities on the processes of formation of complex lattice defects acting as luminescence centers has been determined. It is shown that such property features as high light output and very low afterglow level, as well as the unique combination of scintillation and semiconductor properties, make it possible to use them in various fields of radiation instrumentation. Рассмотрены физико-технологические проблемы получения и основные свойства сцинтилляционных материалов на основе селенида цинка и других соединений AIIBVI. Определено влияние свойств легирующих примесей на процессы формирования комплексных дефектов решётки, выступающих в роли центров свечения. Показано, что такие особенности свойств как высокий световыход и очень низкий уровень послесвечения, а также уникальное сочетание сцинтилляционных и полупроводниковых свойств позволяют использовать их в различных областях радиационного приборостроения. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.51 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 51-58 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 51-58 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.51/609 Copyright (c) 2009 Starzhinskiy N. G., Zenya I. M., Katrunov K. A., Ryzhikov V. D. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | кристаллы AIIBVI соединений сцинтилляционные характеристики центры люминесценции детекторы ионизирующих излучений Starzhinskiy, N. G. Zenya, I. M. Katrunov, K. A. Ryzhikov, V. D. Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения |
| title | Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения |
| title_alt | Development of scintillators on the basis of AIIBVI compounds for radiation instruments used in medical and technical applications |
| title_full | Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения |
| title_fullStr | Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения |
| title_full_unstemmed | Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения |
| title_short | Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения |
| title_sort | разработка сцинтилляторов на основе соединений aiibvi для медицинского и технического радиационного приборостроения |
| topic | кристаллы AIIBVI соединений сцинтилляционные характеристики центры люминесценции детекторы ионизирующих излучений |
| topic_facet | AIIBVI compounds crystals scintillation characteristics luminescence centers ionizing radiation detectors кристаллы AIIBVI соединений сцинтилляционные характеристики центры люминесценции детекторы ионизирующих излучений |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.51 |
| work_keys_str_mv | AT starzhinskiyng developmentofscintillatorsonthebasisofaiibvicompoundsforradiationinstrumentsusedinmedicalandtechnicalapplications AT zenyaim developmentofscintillatorsonthebasisofaiibvicompoundsforradiationinstrumentsusedinmedicalandtechnicalapplications AT katrunovka developmentofscintillatorsonthebasisofaiibvicompoundsforradiationinstrumentsusedinmedicalandtechnicalapplications AT ryzhikovvd developmentofscintillatorsonthebasisofaiibvicompoundsforradiationinstrumentsusedinmedicalandtechnicalapplications AT starzhinskiyng razrabotkascintillâtorovnaosnovesoedinenijaiibvidlâmedicinskogoitehničeskogoradiacionnogopriborostroeniâ AT zenyaim razrabotkascintillâtorovnaosnovesoedinenijaiibvidlâmedicinskogoitehničeskogoradiacionnogopriborostroeniâ AT katrunovka razrabotkascintillâtorovnaosnovesoedinenijaiibvidlâmedicinskogoitehničeskogoradiacionnogopriborostroeniâ AT ryzhikovvd razrabotkascintillâtorovnaosnovesoedinenijaiibvidlâmedicinskogoitehničeskogoradiacionnogopriborostroeniâ |