Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения

The physico-technological problems of obtaining and the main properties of scintillation materials based on zinc selenide and other AIIBVI compounds are considered. The influence of the properties of doping impurities on the processes of formation of complex lattice defects acting as luminescence ce...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Starzhinskiy, N. G., Zenya, I. M., Katrunov, K. A., Ryzhikov, V. D.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:
кристаллы AIIBVI соединений
сцинтилляционные характеристики
центры люминесценции
детекторы ионизирующих излучений
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.51
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-670
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6702025-12-01T20:49:10Z Development of scintillators on the basis of AIIBVI compounds for radiation instruments used in medical and technical applications Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения Starzhinskiy, N. G. Zenya, I. M. Katrunov, K. A. Ryzhikov, V. D. AIIBVI compounds crystals scintillation characteristics luminescence centers ionizing radiation detectors кристаллы AIIBVI соединений сцинтилляционные характеристики центры люминесценции детекторы ионизирующих излучений The physico-technological problems of obtaining and the main properties of scintillation materials based on zinc selenide and other AIIBVI compounds are considered. The influence of the properties of doping impurities on the processes of formation of complex lattice defects acting as luminescence centers has been determined. It is shown that such property features as high light output and very low afterglow level, as well as the unique combination of scintillation and semiconductor properties, make it possible to use them in various fields of radiation instrumentation. Рас­смот­ре­ны фи­зи­ко-тех­но­ло­ги­че­ские про­бле­мы по­лу­че­ния и ос­нов­ные свой­ства сцин­тил­ля­ци­он­ных ма­те­ри­а­лов на ос­но­ве се­ле­ни­да цин­ка и дру­гих со­е­ди­не­ний AIIBVI. Оп­ре­де­ле­но вли­я­ние свойств ле­ги­ру­ю­щих при­ме­сей на про­цес­сы фор­ми­ро­ва­ния ком­плекс­ных де­фек­тов ре­шёт­ки, вы­сту­па­ю­щих в ро­ли цент­ров све­че­ния. По­ка­за­но, что та­кие осо­бен­но­сти свойств как вы­со­кий све­то­вы­ход и очень низ­кий уро­вень по­сле­све­че­ния, а так­же уни­каль­ное со­че­та­ние сцин­тил­ля­ци­он­ных и по­лу­про­вод­ни­ко­вых свойств по­зво­ля­ют ис­поль­зо­вать их в раз­лич­ных об­лас­тях ра­ди­а­ци­он­но­го при­бо­ро­стро­е­ния. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.51 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 51-58 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 51-58 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.51/609 Copyright (c) 2009 Starzhinskiy N. G., Zenya I. M., Katrunov K. A., Ryzhikov V. D. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-12-01T20:49:10Z
collection OJS
language Ukrainian
topic кристаллы AIIBVI соединений
сцинтилляционные характеристики
центры люминесценции
детекторы ионизирующих излучений
spellingShingle кристаллы AIIBVI соединений
сцинтилляционные характеристики
центры люминесценции
детекторы ионизирующих излучений
Starzhinskiy, N. G.
Zenya, I. M.
Katrunov, K. A.
Ryzhikov, V. D.
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
topic_facet AIIBVI compounds crystals
scintillation characteristics
luminescence centers
ionizing radiation detectors
кристаллы AIIBVI соединений
сцинтилляционные характеристики
центры люминесценции
детекторы ионизирующих излучений
format Article
author Starzhinskiy, N. G.
Zenya, I. M.
Katrunov, K. A.
Ryzhikov, V. D.
author_facet Starzhinskiy, N. G.
Zenya, I. M.
Katrunov, K. A.
Ryzhikov, V. D.
author_sort Starzhinskiy, N. G.
title Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
title_short Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
title_full Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
title_fullStr Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
title_full_unstemmed Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
title_sort разработка сцинтилляторов на основе соединений aiibvi для медицинского и технического радиационного приборостроения
title_alt Development of scintillators on the basis of AIIBVI compounds for radiation instruments used in medical and technical applications
description The physico-technological problems of obtaining and the main properties of scintillation materials based on zinc selenide and other AIIBVI compounds are considered. The influence of the properties of doping impurities on the processes of formation of complex lattice defects acting as luminescence centers has been determined. It is shown that such property features as high light output and very low afterglow level, as well as the unique combination of scintillation and semiconductor properties, make it possible to use them in various fields of radiation instrumentation.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.51
work_keys_str_mv AT starzhinskiyng developmentofscintillatorsonthebasisofaiibvicompoundsforradiationinstrumentsusedinmedicalandtechnicalapplications
AT zenyaim developmentofscintillatorsonthebasisofaiibvicompoundsforradiationinstrumentsusedinmedicalandtechnicalapplications
AT katrunovka developmentofscintillatorsonthebasisofaiibvicompoundsforradiationinstrumentsusedinmedicalandtechnicalapplications
AT ryzhikovvd developmentofscintillatorsonthebasisofaiibvicompoundsforradiationinstrumentsusedinmedicalandtechnicalapplications
AT starzhinskiyng razrabotkascintillâtorovnaosnovesoedinenijaiibvidlâmedicinskogoitehničeskogoradiacionnogopriborostroeniâ
AT zenyaim razrabotkascintillâtorovnaosnovesoedinenijaiibvidlâmedicinskogoitehničeskogoradiacionnogopriborostroeniâ
AT katrunovka razrabotkascintillâtorovnaosnovesoedinenijaiibvidlâmedicinskogoitehničeskogoradiacionnogopriborostroeniâ
AT ryzhikovvd razrabotkascintillâtorovnaosnovesoedinenijaiibvidlâmedicinskogoitehničeskogoradiacionnogopriborostroeniâ
first_indexed 2025-12-02T15:19:31Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:31Z
_version_ 1850762687804342272

Ähnliche Einträge