Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
The physico-technological problems of obtaining and the main properties of scintillation materials based on zinc selenide and other AIIBVI compounds are considered. The influence of the properties of doping impurities on the processes of formation of complex lattice defects acting as luminescence ce...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | Starzhinskiy, N. G., Zenya, I. M., Katrunov, K. A., Ryzhikov, V. D. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.51 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2012) -
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009) -
On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004) -
On proportionality of the light output of semiconductor scintillators under irradiation by alpha-particles and heavy ions
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004) -
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi2Te3 в процессе их хранения
за авторством: Aliyeva, A. P., та інші
Опубліковано: (2016)