Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
The physico-technological problems of obtaining and the main properties of scintillation materials based on zinc selenide and other AIIBVI compounds are considered. The influence of the properties of doping impurities on the processes of formation of complex lattice defects acting as luminescence ce...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Starzhinskiy, N. G., Zenya, I. M., Katrunov, K. A., Ryzhikov, V. D. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.51 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
von: Starzhinskiy, N. G., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
von: Katrunov, K., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
On proportionality of the light output of semiconductor scintillators under irradiation by alpha-particles and heavy ions
von: Ryzhikov, V., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi2Te3 в процессе их хранения
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)