Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
Electrodeposition of a copper electrode on a Si substrate is performed to obtain a large-area vacuum nanogap for thermotunneling devices. To obtain the correct geometry of such an electrode and reduce internal stress in it, cathode rotation, various protective masks, asymmetric current mode, and ele...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.2.37 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-683 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-6832025-12-04T21:17:20Z Electrodeposition of conformal electrodes for obtaining a tunnel junction with a vacuum nanogap Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором Djanghidze, L. B. Tavkhelidze, A. N. Blughidze, Yu. M. Taliashvili, Z. I. electrochemical deposition of Cu conformal surfaces electron tunneling thermotunneling электрохимическое осаждение меди конформные поверхности электронное туннелирование термотуннелирование Electrodeposition of a copper electrode on a Si substrate is performed to obtain a large-area vacuum nanogap for thermotunneling devices. To obtain the correct geometry of such an electrode and reduce internal stress in it, cathode rotation, various protective masks, asymmetric current mode, and electrolyte temperature control and stabilization were used. Reducing the electrode diameter to 3 mm and increasing the thickness of the initial silicon plate to 2 mm makes it possible to grow an electrode with a bend of about 2.5 nm/mm. This made it possible to obtain two conformal electrodes with a nanogap of less than 5 nm on an area of 7 mm2. Such conformal electrodes can be used in devices based on electron tunneling. Электроосаждение медного электрода на подложке Si осуществляется для получения вакуумного нанозазора большой площади для термотуннельных приборов. Для получения правильной геометрии такого электрода и уменьшения внутреннего напряжения в нем использовали вращение катода, различные защитные маски, асимметричный токовый режим, регулирование и стабилизацию температуры электролита. Уменьшение диаметра электрода до 3 мм и увеличение толщины исходной кремниевой пластины до 2 мм дает возможность вырастить электрод с изгибом порядка 2,5 нм/мм. Это позволило получить два конформных электрода с нанозазором менее 5 нм на площади 7 мм2. Такие конформные электроды можно использовать в устройствах на основе туннельного прохождения электронов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.2.37 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 37-42 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 37-42 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.2.37/621 Copyright (c) 2009 Djanghidze L. B., Tavkhelidze A. N., Blughidze Yu. M., Taliashvili Z. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-12-04T21:17:20Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
электрохимическое осаждение меди конформные поверхности электронное туннелирование термотуннелирование |
| spellingShingle |
электрохимическое осаждение меди конформные поверхности электронное туннелирование термотуннелирование Djanghidze, L. B. Tavkhelidze, A. N. Blughidze, Yu. M. Taliashvili, Z. I. Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором |
| topic_facet |
electrochemical deposition of Cu conformal surfaces electron tunneling thermotunneling электрохимическое осаждение меди конформные поверхности электронное туннелирование термотуннелирование |
| format |
Article |
| author |
Djanghidze, L. B. Tavkhelidze, A. N. Blughidze, Yu. M. Taliashvili, Z. I. |
| author_facet |
Djanghidze, L. B. Tavkhelidze, A. N. Blughidze, Yu. M. Taliashvili, Z. I. |
| author_sort |
Djanghidze, L. B. |
| title |
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором |
| title_short |
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором |
| title_full |
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором |
| title_fullStr |
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором |
| title_full_unstemmed |
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором |
| title_sort |
электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором |
| title_alt |
Electrodeposition of conformal electrodes for obtaining a tunnel junction with a vacuum nanogap |
| description |
Electrodeposition of a copper electrode on a Si substrate is performed to obtain a large-area vacuum nanogap for thermotunneling devices. To obtain the correct geometry of such an electrode and reduce internal stress in it, cathode rotation, various protective masks, asymmetric current mode, and electrolyte temperature control and stabilization were used. Reducing the electrode diameter to 3 mm and increasing the thickness of the initial silicon plate to 2 mm makes it possible to grow an electrode with a bend of about 2.5 nm/mm. This made it possible to obtain two conformal electrodes with a nanogap of less than 5 nm on an area of 7 mm2. Such conformal electrodes can be used in devices based on electron tunneling. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2009 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.2.37 |
| work_keys_str_mv |
AT djanghidzelb electrodepositionofconformalelectrodesforobtainingatunneljunctionwithavacuumnanogap AT tavkhelidzean electrodepositionofconformalelectrodesforobtainingatunneljunctionwithavacuumnanogap AT blughidzeyum electrodepositionofconformalelectrodesforobtainingatunneljunctionwithavacuumnanogap AT taliashvilizi electrodepositionofconformalelectrodesforobtainingatunneljunctionwithavacuumnanogap AT djanghidzelb élektroosaždeniekonformnyhélektrodovdlâpolučeniâtunnelʹnogoperehodasvakuumnymnanozazorom AT tavkhelidzean élektroosaždeniekonformnyhélektrodovdlâpolučeniâtunnelʹnogoperehodasvakuumnymnanozazorom AT blughidzeyum élektroosaždeniekonformnyhélektrodovdlâpolučeniâtunnelʹnogoperehodasvakuumnymnanozazorom AT taliashvilizi élektroosaždeniekonformnyhélektrodovdlâpolučeniâtunnelʹnogoperehodasvakuumnymnanozazorom |
| first_indexed |
2025-12-06T12:40:42Z |
| last_indexed |
2025-12-06T12:40:42Z |
| _version_ |
1850762689155956736 |