Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок

It has been established that the quality of the film after various technological operations in the manufacture of ICs can be assessed by changes in the film's transmission spectrum. This makes it possible to eliminate IC defects caused by metal layer breakage.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Ivanchykau, A. E., Kisel, A. M., Medvedeva, A. B, Plebanovich, V. I.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.2.46
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-685
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6852025-12-04T21:17:20Z Modification of organosilicon films properties during the thermal and plasma treatments Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок Ivanchykau, A. E. Kisel, A. M. Medvedeva, A. B Plebanovich, V. I. film structure etching rate transmission spectrum струкрура пленки скорость травления спектр пропускания It has been established that the quality of the film after various technological operations in the manufacture of ICs can be assessed by changes in the film's transmission spectrum. This makes it possible to eliminate IC defects caused by metal layer breakage. Установлено, что оценка качества пленки после различных технологических операций изготовления ИС может проводиться по изменению спектра пропускания пленки. Это позволяет исключить брак ИС, обусловленный обрывом слоя металла. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.2.46 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 46-50 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 46-50 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.2.46/623 Copyright (c) 2009 Ivanchykau A. E., Kisel A. M., Medvedeva A. B., Plebanovich V. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-12-04T21:17:20Z
collection OJS
language Ukrainian
topic струкрура пленки
скорость травления
спектр пропускания
spellingShingle струкрура пленки
скорость травления
спектр пропускания
Ivanchykau, A. E.
Kisel, A. M.
Medvedeva, A. B
Plebanovich, V. I.
Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
topic_facet film structure
etching rate
transmission spectrum
струкрура пленки
скорость травления
спектр пропускания
format Article
author Ivanchykau, A. E.
Kisel, A. M.
Medvedeva, A. B
Plebanovich, V. I.
author_facet Ivanchykau, A. E.
Kisel, A. M.
Medvedeva, A. B
Plebanovich, V. I.
author_sort Ivanchykau, A. E.
title Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
title_short Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
title_full Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
title_fullStr Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
title_full_unstemmed Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
title_sort изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
title_alt Modification of organosilicon films properties during the thermal and plasma treatments
description It has been established that the quality of the film after various technological operations in the manufacture of ICs can be assessed by changes in the film's transmission spectrum. This makes it possible to eliminate IC defects caused by metal layer breakage.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.2.46
work_keys_str_mv AT ivanchykauae modificationoforganosiliconfilmspropertiesduringthethermalandplasmatreatments
AT kiselam modificationoforganosiliconfilmspropertiesduringthethermalandplasmatreatments
AT medvedevaab modificationoforganosiliconfilmspropertiesduringthethermalandplasmatreatments
AT plebanovichvi modificationoforganosiliconfilmspropertiesduringthethermalandplasmatreatments
AT ivanchykauae izmeneniesvojstvplenokkremnijorganičeskihstekolposletermičeskojiplazmohimičeskojobrabotok
AT kiselam izmeneniesvojstvplenokkremnijorganičeskihstekolposletermičeskojiplazmohimičeskojobrabotok
AT medvedevaab izmeneniesvojstvplenokkremnijorganičeskihstekolposletermičeskojiplazmohimičeskojobrabotok
AT plebanovichvi izmeneniesvojstvplenokkremnijorganičeskihstekolposletermičeskojiplazmohimičeskojobrabotok
first_indexed 2025-12-06T12:40:42Z
last_indexed 2025-12-06T12:40:42Z
_version_ 1850762689381400576