Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы

It has been established that during prolonged (120 h) thermal treatment of InSe single crystals in sulfur vapors, an InS/InSe heterostructure is formed. The investigated electrical and photoelectrical characteristics of the obtained structures demonstrated a significant superiority of the anisotype...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Kovalyuk, Z. D., Kushnir, O. I., Sidor, O. M., Netyaga, V. V.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:
гетероструктура
p–n-InSe
пленка InS
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.1.61
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-700
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-7002025-12-05T21:39:59Z Heterostructures obtained by annealing InSe single crystals in sulfur vapors Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы Kovalyuk, Z. D. Kushnir, O. I. Sidor, O. M. Netyaga, V. V. heterostructure p-n-InSe InS-film гетероструктура p–n-InSe пленка InS It has been established that during prolonged (120 h) thermal treatment of InSe single crystals in sulfur vapors, an InS/InSe heterostructure is formed. The investigated electrical and photoelectrical characteristics of the obtained structures demonstrated a significant superiority of the anisotype heterostructure n-InS/p-InSe over its isotype analogue. A comparison of the spectral characteristics of n-InS/p-InSe heterostructures obtained at different annealing durations has been carried out. For the InS film, the values of interband transitions as well as the parameters of the elementary crystalline cell have been determined. Установлено, что при длительной (120 ч) термообработке мо­но­кри­стал­лов InSe в па­рах се­ры фор­ми­ру­ет­ся ге­те­ро­струк­ту­ра InS/InSe. Ис­сле­до­ван­ные элек­три­чес­кие и фо­то­элек­три­чес­кие ха­рак­те­рис­ти­ки по­лу­чен­ных струк­тур по­ка­за­ли су­ще­ствен­ное пре­вос­ход­ство ани­зо­тип­ной ге­те­ро­струк­ту­ры n-InS/p-InSe над ее изо­тип­ным ана­ло­гом. Про­ве­де­но срав­не­ние спек­траль­ных ха­рак­те­рис­тик ге­те­ро­струк­тур n-InS/p-InSe, по­лу­чен­ных при раз­ной про­дол­жи­тель­нос­ти от­жи­га. Для плен­ки InS оп­ре­де­ле­на ве­ли­чи­на меж­зон­ных пе­ре­хо­дов, а так­же па­ра­мет­ры эле­мен­тар­ной крис­тал­ли­чес­кой ячейки. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-02-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.1.61 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 61-62 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 61-62 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.1.61/637 Copyright (c) 2009 Kovalyuk Z. D., Kushnir O. I., Sidor O. M., Netyaga V. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-12-05T21:39:59Z
collection OJS
language Ukrainian
topic гетероструктура
p–n-InSe
пленка InS
spellingShingle гетероструктура
p–n-InSe
пленка InS
Kovalyuk, Z. D.
Kushnir, O. I.
Sidor, O. M.
Netyaga, V. V.
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
topic_facet heterostructure
p-n-InSe
InS-film
гетероструктура
p–n-InSe
пленка InS
format Article
author Kovalyuk, Z. D.
Kushnir, O. I.
Sidor, O. M.
Netyaga, V. V.
author_facet Kovalyuk, Z. D.
Kushnir, O. I.
Sidor, O. M.
Netyaga, V. V.
author_sort Kovalyuk, Z. D.
title Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
title_short Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
title_full Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
title_fullStr Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
title_full_unstemmed Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
title_sort гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов inse в парах серы
title_alt Heterostructures obtained by annealing InSe single crystals in sulfur vapors
description It has been established that during prolonged (120 h) thermal treatment of InSe single crystals in sulfur vapors, an InS/InSe heterostructure is formed. The investigated electrical and photoelectrical characteristics of the obtained structures demonstrated a significant superiority of the anisotype heterostructure n-InS/p-InSe over its isotype analogue. A comparison of the spectral characteristics of n-InS/p-InSe heterostructures obtained at different annealing durations has been carried out. For the InS film, the values of interband transitions as well as the parameters of the elementary crystalline cell have been determined.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.1.61
work_keys_str_mv AT kovalyukzd heterostructuresobtainedbyannealinginsesinglecrystalsinsulfurvapors
AT kushniroi heterostructuresobtainedbyannealinginsesinglecrystalsinsulfurvapors
AT sidorom heterostructuresobtainedbyannealinginsesinglecrystalsinsulfurvapors
AT netyagavv heterostructuresobtainedbyannealinginsesinglecrystalsinsulfurvapors
AT kovalyukzd geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery
AT kushniroi geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery
AT sidorom geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery
AT netyagavv geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery
first_indexed 2025-12-06T12:40:44Z
last_indexed 2025-12-06T12:40:44Z
_version_ 1850836709314396160

Ähnliche Einträge