Зображення обкладинки

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы

It has been established that during prolonged (120 h) thermal treatment of InSe single crystals in sulfur vapors, an InS/InSe heterostructure is formed. The investigated electrical and photoelectrical characteristics of the obtained structures demonstrated a significant superiority of the anisotype...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Автори:	Kovalyuk, Z. D., Kushnir, O. I., Sidor, O. M., Netyaga, V. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:	гетероструктура p–n-InSe пленка InS
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.1.61
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Особливості нікелевих наноструктур сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe
за авторством: Galiy, P. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
за авторством: Afanasyev, M. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена
за авторством: Rusetskii, I. A., та інші
Опубліковано: (2016)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Створення гетероструктури n-InSe-графіт
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS
за авторством: Семиноженко, В.П., та інші
Опубліковано: (2013)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
за авторством: Galiy, P. V.
Опубліковано: (2014)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
за авторством: Vakiv, N. M.
Опубліковано: (2010)

Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)

The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)