Buchumschlag

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы

It has been established that during prolonged (120 h) thermal treatment of InSe single crystals in sulfur vapors, an InS/InSe heterostructure is formed. The investigated electrical and photoelectrical characteristics of the obtained structures demonstrated a significant superiority of the anisotype...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Kovalyuk, Z. D., Kushnir, O. I., Sidor, O. M., Netyaga, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:	гетероструктура p–n-InSe пленка InS
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.1.61
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особливості нікелевих наноструктур сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe
von: Galiy, P. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена
von: Rusetskii, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Afanasyev, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Vakiv, N. M.
Veröffentlicht: (2010)

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Vorob'ev, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Dinev, D. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

КЛІНІЧНЕ ЗНАЧЕННЯ СЕКВЕНУВАННЯ ГЕНА BRCA1 ТА ТЕСТУВАННЯ МЕТИЛЮВАННЯ ЙОГО ПРОМОТОРА В СТРАТЕГІЇ ПОШУКУ ТЕРАПЕВТИЧНИХ ЦІЛЕЙ У ЛІКУВАННІ РАКУ МОЛОЧНОЇ ЗАЛОЗИ
von: Fishchuk, L., et al.
Veröffentlicht: (2023)

EXOGENOUS PHYSIOLOGICALLY ACTIVE SUBSTANCES OF TRICHODERMA HARZIANUM 128 AND THEIR SYNTHESIS WHILE INTRODUCTION OF MICROMYCETES INTO COMPOSTED SUBSTRATE
von: Derkach, S. М., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

STM data: Gold Nanoreliefs on Van der Waals Surfaces of InSe Semiconductor Single Crystals Obtained by High-Resolution Scanning Tunneling Microscopy Methods
von: Karbivskyy Volodymyr, et al.
Veröffentlicht: (2024)

ВАРІАНТИ ГЕНА NOD2 c.3019-3020insC І c.2104C>T СЕРЕД ПАЦІЄНТІВ ІЗ ХВОроБОЮ КРОНА ТА КОЛОРЕКТАЛЬНИМ РАКОМ, МЕШКАНЦІВ ЗАХІДНИХ ОБЛАСТЕЙ УКРАЇНИ
von: Lozynska, L., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
von: Kovalyuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)

КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
von: Barchiy, Igor, et al.
Veröffentlicht: (2019)

ВЗАЄМОДІЯ У КВАЗІПОДВІЙНИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ TlSbP2Se6 ТА СПОЛУК СИСТЕМИ Tl2Se–Sb2Se3
von: Sabov, Viktoria, et al.
Veröffentlicht: (2019)

THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
von: Moroz, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
von: Makhniy, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
von: Pashayev, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)