Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах

A mathematical model of the current–voltage characteristics (I–V curve) of the optoelectronic pair “photodiode–DMOS transistor” has been developed, which makes it possible to establish the relationship between its electrical parameters and the structural and electrophysical parameters of the photodi...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Politanskyy, L. F., Lesinskyy, V. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008
Теми:	фотодиод ДМОП-транзистор оптоэлектронная пара оптоэлектронный коммутатор пороговое напряжение фототок
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.23
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-703
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-7032025-12-09T20:58:42Z Integrated optoelectronic switch based on DMOS transistors Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах Politanskyy, L. F. Lesinskyy, V. V. photodiode DMOS-transistor optoelectronic couple optoelectronic switch threshold voltage photocurrent фотодиод ДМОП-транзистор оптоэлектронная пара оптоэлектронный коммутатор пороговое напряжение фототок A mathematical model of the current–voltage characteristics (I–V curve) of the optoelectronic pair “photodiode–DMOS transistor” has been developed, which makes it possible to establish the relationship between its electrical parameters and the structural and electrophysical parameters of the photodiodes and DMOS transistors. A design of an integrated optoelectronic switch based on DMOS transistors fabricated on “silicon-on-dielectric” structures is proposed. In this configuration, optical control of actuating devices connected to both the source and drain circuits of the key transistor is possible. Разработана математическая модель ВАХ оптоэлектронной пары «фотодиоды — ДМОП-транзистор», которая позволяет установить взаимосвязь ее электрических параметров с конструктивными и электрофизическими параметрами фотодиодов и ДМОП-транзисторов. Предложена конструкция интегрального оптоэлектронного коммутатора на ДМОП-транзисторах на структурах «кремний с диэлектрической изоляцией». При этом возможно оптическое управление исполнительными устройствами, включенными как в истоковую, так и в стоковую цепь ключевого транзистора. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.23 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 23-27 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 23-27 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.23/639 Copyright (c) 2008 Politanskyy L. F., Lesinskyy V. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-12-09T20:58:42Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	фотодиод ДМОП-транзистор оптоэлектронная пара оптоэлектронный коммутатор пороговое напряжение фототок
spellingShingle	фотодиод ДМОП-транзистор оптоэлектронная пара оптоэлектронный коммутатор пороговое напряжение фототок Politanskyy, L. F. Lesinskyy, V. V. Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
topic_facet	photodiode DMOS-transistor optoelectronic couple optoelectronic switch threshold voltage photocurrent фотодиод ДМОП-транзистор оптоэлектронная пара оптоэлектронный коммутатор пороговое напряжение фототок
format	Article
author	Politanskyy, L. F. Lesinskyy, V. V.
author_facet	Politanskyy, L. F. Lesinskyy, V. V.
author_sort	Politanskyy, L. F.
title	Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
title_short	Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
title_full	Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
title_fullStr	Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
title_full_unstemmed	Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
title_sort	интегральный оптоэлектронный коммутатор на дмоп-транзисторах
title_alt	Integrated optoelectronic switch based on DMOS transistors
description	A mathematical model of the current–voltage characteristics (I–V curve) of the optoelectronic pair “photodiode–DMOS transistor” has been developed, which makes it possible to establish the relationship between its electrical parameters and the structural and electrophysical parameters of the photodiodes and DMOS transistors. A design of an integrated optoelectronic switch based on DMOS transistors fabricated on “silicon-on-dielectric” structures is proposed. In this configuration, optical control of actuating devices connected to both the source and drain circuits of the key transistor is possible.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2008
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.23
work_keys_str_mv	AT politanskyylf integratedoptoelectronicswitchbasedondmostransistors AT lesinskyyvv integratedoptoelectronicswitchbasedondmostransistors AT politanskyylf integralʹnyjoptoélektronnyjkommutatornadmoptranzistorah AT lesinskyyvv integralʹnyjoptoélektronnyjkommutatornadmoptranzistorah
first_indexed	2025-12-17T12:06:24Z
last_indexed	2025-12-17T12:06:24Z
_version_	1851757097897689088

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах

Репозитарії

Схожі ресурси